晶片烧结炉气循改进结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种晶片烧结炉气循改进结构，包括：一进气结构，一扰流结构，一排气结构及前、后气闸等，其主要是由一进气结构，将其进气孔设定方向，将惰性气体（如氮气或氨气等）送向炉膛内并在排气口端适当位置设置扰流结构，使送入炉内的气体形成一回流，而后在排气结构控制排出，同时配合炉体两端向炉内斜向送风的气闸阻绝炉内气体逸出及外界空气的进入，达到使炉内各横断面上任何区域温度均衡，烧成曲线控制准确，且保持炉内气体的纯度。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种晶片烧结炉气循改进结构，特别是指一种控制进气方向，将惰性气体送入炉内，并加设扰流结构，使炉内气体形成一回流，而后由排气结构排出，且于炉体的两端，装设向炉向斜向送风的气闸，阻绝气体的进出，达到使炉内各横断面上任何区域的温度均衡，烧成曲线控制准确，且保持炉内气体的纯度。现有的晶片烧结炉气循结构，是利用排气结构控制，以形成炉内气体的流动，且其气闸的装置，送风方式，多为单纯的直向吹送，在使用时不免有下列缺点1、体流动的方式，仅为进气口向排气口单纯的走向，使炉横断面上不同区域形成温差，造成烧结效果不良。2、气闸阻绝效果未尽理想，未能有效阻断气体进、出，导致破坏炉内气流的方向及影响内炉内气体的纯度，使烧结效果不良。本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种晶片烧结炉气循改进装置，这种晶片烧结炉气循改良装置不仅使炉内各横断面上任何区域温度均衡，烧成曲线控制准确，而且能很好的保持炉内气体的纯度。为达到上述目的，本技术采取了控制进气方向，加设扰流结构的方式，将现有技术进气单纯的走向，改为由炉体两端向炉内斜向送风等，其上述目的是这样实现的本技术主要由一进气结构，一扰流结构及前、后气闸等组成；晶片烧结炉工作时，将惰性气(一般为氮气或氦气)，由进气孔设计为向炉膛方向送风的进气结构送入炉内，并于接近排气结构处适当位置，设置扰流结构，使炉体内的气体形成一回流，再经由排气结构控制，使炉内气体排出，同时配合于炉体两端设置的气闸，阻绝气体，由炉体的进、出口逸出或进入，达到炉内各横断面上任何区域温度均衡，烧结曲线控制准确、烧结效果良好。本技术晶片烧结炉气循改良结构，其气闸，设计成分为上、下两部分，输送晶片的输送带，由中间穿过，且其送风口的方向，设计成向炉体内部，与输送带方向，斜向送风，达到更有效阻绝气体交换，避免炉内气流变换，影响温度，且有效保持炉内气体的纯度，使烧结效果更臻理想。以下结合附图和实施例，对本技术作进一步详细的说明。附图说明图1为本技术一较佳具体实施例的纵向剖示平面图；图2是本技术一较佳具体实施例的输送带进口端纵向剖示平面图；图3是本技术一较佳具体实施例的立体组合图；图4是本技术一较佳具体实施例的输送带进口端部分剖示立体图；由图1为本技术一较佳具体实施例的纵向剖示平面图，和图3为本技术一较佳具体实施例的立体组合图，可看出本技术是由，进气结构1、扰流结构2、气闸3、排气结构4等部分所组成；当运作时，将惰性气由进气结构1，经其进气管11，进气孔12送入炉体内，因进气孔12的方向，使气体朝向炉体内部流动，于炉体另一端，接近排气结构4的适当位置，装设扰流结构2，由此产生向炉体两端流动的气流(请参照图2)，与前述由进气结构1送入的气流相遇，产生回流，再由排气结构4控制排出，同时由炉体两端的气闸3阻绝气体由两端进出，确保使炉内气流如气流方向6所指示，使炉内各横断面上任何区域的温度，因气体均匀的传导，达到均衡，且有效保持炉内气体的纯度，使烧结效果良好。图4为本技术一较佳具体实施例的输送带进口端部分剖示立体图，由图中扰流结构2部分放大图可看出，扰流结构2是将气体，经扰流送风管21，由向两边开设的多数个扰流送风孔22送出，形成扰动气流，而由图中气闸3部分放大图，得知气闸3是分为，上送风部32，下送风部33两部分，输送带5自中间穿过，气体由气闸送风管31，送入送风部，经斜向设置的气闸送风板321，导引方向，再由气闸送风口322送出，形成上、下皆有向炉内及输送带方向吹送的均匀气幕，并于上送风部32与输送带5之间，设置适当高度的阻风刷34，对输送带上的物品作一初步的清理，同时也可增进阻绝气流的功能，确定有效的阻止炉内气体逸出，或空气进入炉内，保持炉内气体的纯度及气流稳定。综上所述，本技术的晶片烧结炉气循改良结构，确实具有使炉内各横断面上任何区域温度均衡，确保炉内气体纯度，烧结效果更臻良好的功效，而该等功效确实可以改进现有技术气闸阻绝效果未尽理想，炉内各横断面上不同区域形成温差，造成烧结效果不良之弊。权利要求1.一种晶片烧结炉气循改进结构，包括进气结构、扰流结构、排气结构、气闸输送带等，其特征在于进气结构(1)由进气管(11)和进气孔(12)组成，其进气孔(12)设计为朝向炉膛方向；在排气结构(4)的适当位置设置有扰结构(2)；气闸(3)设置在炉体的两端。2.如权利要求1所述的晶片烧结炉气循环改进结构，其特征在于扰流结构(2)上设置有扰流送风孔(22)，其扰流送风孔(22)设计成朝向炉膛两端方向。3.如权利要求1所述的晶片烧结炉气循环改进结构，其特征在于气闸(3)由气闸送风管(31)、上送风部(32)、下送风部(33)、气闸送风板(321)和气闸送风孔(322)组成输送带(5)在上送风部(32)与下送风部(33)的中间穿过。4.如权利要求1或3所述的晶片烧结炉气循环改进结构，其特征在于气闸送风孔(322)设置在呈斜向设计的气闸送风板(321)上。5.如权利要求1或3所述的晶片烧结炉气循环改进结构，其特征在于上送风部(32)的底部与输送带(5)之间设置有阻风刷(4)。专利摘要本技术涉及一种晶片烧结炉气循改进结构,包括:一进气结构,一扰流结构,一排气结构及前、后气闸等,其主要是由一进气结构,将其进气孔设定方向,将惰性气体(如氮气或氨气等)送向炉膛内并在排气口端适当位置设置扰流结构,使送入炉内的气体形成一回流,而后在排气结构控制排出,同时配合炉体两端向炉内斜向送风的气闸阻绝炉内气体逸出及外界空气的进入,达到使炉内各横断面上任何区域温度均衡,烧成曲线控制准确,且保持炉内气体的纯度。文档编号F27D7/06GK2427786SQ00217689公开日2001年4月25日 申请日期2000年5月19日 优先权日2000年5月19日专利技术者林义能 申请人:林义能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片烧结炉气循改进结构，包括：进气结构、扰流结构、排气结构、气闸输送带等，其特征在于：进气结构（１）由进气管（１１）和进气孔（１２）组成，其进气孔（１２）设计为朝向炉膛方向；在排气结构（４）的适当位置设置有扰结构（２）；气闸（３）设置在炉体的两端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林义能，
申请(专利权)人：林义能，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]