【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体芯片烧结与封装烧结用的链式烧结炉。
技术介绍
现有半导体生产中，采用真空烧结及链式间接传热烧结。前者真空烧结生 产效率低、成品率低，后者采用链带载运烧结工件进出烧结炉烧结，在烧结过 程中，烧结工件只能间接受热，烧结加工温度时间长、耗电大、生产效率低而 且烧结温度高、半导体器件容易氧化，此外，由于这种烧结炉是间接传热加温， 它无法精确控制烧结炉内的各区域段温度，导致半导体器件烧结时半导体芯片 快速升温及急降温，影响半导体参数，严重者半导体芯片开裂。
技术实现思路
本技术的目的在于半导体器件在烧结过程中，烧结工件直接滑动接触 加热并逐渐升温烧结，以及烧结炉采用分段自动控制热板炉体来解决烧结炉内区域段温度的精确度，从而提高半导体的质量及成品率；并降低能耗、节约成 本。本技术是这样实现的烧结炉是由热板、冷却板、传送链、密封保护 罩、驱动系统、自动控温系统及密封保护罩两端的进、出口设置的自动上、下 料装置等构成的自动链式接触加热烧结炉。当驱动系统工作、传送连循环运行、 传动连上的挡片推动自动上料架上的烧结工件进入密封保护罩时，烧结工件与 热板滑动接触并...
【技术保护点】
一种链式接触加热烧结炉，它由热板（５）、冷却板（８）、传送链（１）、密封保护罩（７）、驱动系统（１０）以及自动控温系统（４）等组成，其特征是：烧结工件（６）随传送链（１）、与热板（５）滑动接触。
【技术特征摘要】
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