一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构，至少包括一个N掺杂区或P掺杂区或P井区；所述N掺杂区和所述P掺杂区相间排列，即一个所述N掺杂区挨着一个所述P掺杂区再挨着一个N掺杂区，以此类推；所述N掺杂区或P掺杂区或P井区在硅衬底外延片里面，本实用新型专利技术提供一个新的结构，和其它结构相比，可达到节省工艺流程与成本的目的，另一方面本实用新型专利技术使得器件电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生的晶体管的Vbe电压让三极管导通，因而容易维持原本雪崩崩溃(UIS)的能力及降低snapback发生的机率，本实用新型专利技术所以能完成中高电压的产品，却又不失过保护的能力，大大提升产品的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构
本技术涉及电子元器件、半导体、集成电路，尤其涉及一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构。
技术介绍
功率金属氧化物半导体场效晶体管PowerMOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor)其结构可区分为沟槽(trench)结构及平面(planar)结构，其中沟槽结构因为元胞尺寸(CellPitch)较小，可得到较佳的阻值，因而被广泛应用在电压200V以下，而200V以上因阻值与元胞尺寸的关链性较低，多用平面结构来完成。近年来因其科技发展越来越快速，功率金属氧化物半导体场效晶体管PowerMOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor)的过保护的功能也就相对的重要。
技术实现思路
本技术提供一个新的汲极和源极端的过保护结构，其电路图如图1，其结构同时也能增加其组件的雪崩崩溃(UIS)能力。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种构槽式功率金氧半场效晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构，其特征在于，包括：/n一硅衬底外延片；/n一闸极氧化层，是成长在已蚀刻的所述硅衬底外延片上；/n一多晶硅（Poly-Si）层，是沉积在所述蚀刻的沟槽内；/n包括N掺杂区或P掺杂区或P井区；/n所述N掺杂区和所述P掺杂区在沟槽内的所述多晶硅（Poly-Si）层中相间排列，即一个所述N掺杂区挨着一个所述P掺杂区再挨着一个N掺杂区，以此类推；/n一介电质层(ILD)，位于硅衬底外延片上方；/n一源极金属层，连接其多晶硅内外围的一侧N掺杂区；/n一闸极金属层，连接其多晶硅内外围的另一侧N掺杂区。/n

【技术特征摘要】
1.一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构，其特征在于，包括：
一硅衬底外延片；
一闸极氧化层，是成长在已蚀刻的所述硅衬底外延片上；
一多晶硅（Poly-Si）层，是沉积在所述蚀刻的沟槽内；
包括N掺杂区或P掺杂区或P井区；
所述N掺杂区和所述P掺杂区在沟槽内的所述多晶硅（Poly-Si）层中相间排列，即一个所述N掺杂区挨着一个所述P掺杂区再挨着一个N掺杂区，以此类推；
一介电质层(ILD)，位于硅衬底外延片上方；
一源极金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振道，
申请(专利权)人：南京融芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32