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本实用新型提供了一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构，至少包括一个N掺杂区或P掺杂区或P井区；所述N掺杂区和所述P掺杂区相间排列，即一个所述N掺杂区挨着一个所述P掺杂区再挨着一个N掺杂区，以此类推；所述N掺杂区或P掺杂区或P井区在硅衬底外延...
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