用于ESD保护的PNP_SCR器件结构及制作工艺制造技术

本发明专利技术提供一种用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，包括P型衬底，在P型衬底的内部左上方制作有N型阱区，在N型阱区表面通过离子注入制作有第一SN区和第一SP区，第一SP区位于第一SN区右侧；第一SN区和第一SP区通过金属相连，形成器件的阳极；在N型阱区右侧和P型衬底的交界处靠表面制作有第二SN区，第二SN区左侧与第一SP区相隔一个距离；在第二SN区右侧的P型衬底表面制作有第三SN区，第二SN区右侧与第三SN区相隔一个距离，在第三SN区右侧制作有第二SP区，第二SP区通过金属线引出作为器件阴极，而第三SN区则浮空设置。本发明专利技术既提高了维持电压又增加了电流能力。又增加了电流能力。又增加了电流能力。

【技术实现步骤摘要】
用于ESD保护的PNP_SCR器件结构及制作工艺


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其是一种用于ESD保护的PNP_SCR器件结构。

技术介绍

[0002]PNP双极型晶体管与SCR可控硅整流器均为静电保护（ESD）中常用的半导体器件结构，这两种结构在ESD保护应用时具有不同的优势。PNP结构得益于其超高的维持电压Vh导致其极不容易发生闩锁，是一种稳定可靠的设计，在高压ESD中被常用，但PNP的缺点是电流能力很弱，在集成电路中要占据较大面积，因此效率低下。SCR器件具有最强的单位面积电流能力，其能够在很小的面积下通过相同的电流，但SCR器件维持电压Vh一般很低（约1.4 V），因此在应用是极易发生不稳定的闩锁效应，因此不适合用于高压ESD保护。而即使是低压ESD保护领域SCR也不能直接使用。
[0003]传统SCR结构如图1所示，当寄生PNP（SP/NW/P
‑
sub）与NPN（NW/P
‑
sub/SN）开启时其正反馈作用会迅速使SCR器件进入大注入状态从而拉低两端电压，这使得SCR器件极易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，包括P型衬底(1)，其特征在于，在P型衬底(1)的内部左上方制作有N型阱区(2)，在N型阱区(2)表面通过离子注入制作有第一SN区(11)和第一SP区(12)，第一SP区(12)位于第一SN区(11)右侧；第一SN区(11)和第一SP区(12)通过金属相连，形成器件的阳极(21)；在N型阱区(2)右侧和P型衬底(1)的交界处靠表面制作有第二SN区(13)，第二SN区(13)左侧与第一SP区(12)相隔一个距离；在第二SN区(13)右侧的P型衬底(1)表面制作有第三SN区(15)，第二SN区(13)右侧与第三SN区(15)相隔一个距离，在第三SN区(15)右侧制作有第二SP区(14)，第二SP区(14)通过金属线引出作为器件阴极(22)，而第三SN区(15)则浮空设置。2.如权利要求1所述的用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，其特征在于，所述第一SN区(11)和第一SP区(12)相隔一个距离设置或者直接相切设置。3.如权利要求1所述的用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，其特征在于，所述第三SN区(15)和第二SP区(14)相隔一个距离设置或者直接相切设置。4.如权利要求1～3中任一项所述的用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，其特征在于，所述第三SN区(15)分为第一段SN区(151...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟东，赵泊然，
申请(专利权)人：南京融芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：