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本发明提供一种用于ESD保护的PNP_SCR器件结构，包括P型衬底，在P型衬底的内部左上方制作有N型阱区，在N型阱区表面通过离子注入制作有第一SN区和第一SP区，第一SP区位于第一SN区右侧；第一SN区和第一SP区通过金属相连，形成器件的阳...
该专利属于南京融芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京融芯微电子有限公司授权不得商用。

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