【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本专利技术实施例关于一种半导体装置，且特别有关于一种横向扩散金属氧化物半导体(lateraldiffusedmetaloxidesemiconductor，LDMOS)场效应晶体管及其形成方法。
技术介绍
半导体装置已广泛地使用于各种电子产品中，举例而言，诸如个人电脑、手机以及数码相机等。半导体装置的制造通常是藉由在半导体基板上形成绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，藉以在此半导体基板之上形成电路零件及组件。现有的半导体装置及其形成方法大抵上可满足一般需求，然而随着装置的微型化，其并非在各方面皆令人满意。
技术实现思路
本专利技术实施例包括一种半导体装置的形成方法。上述方法包括提供半导体基板、于上述半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。上述第一N型注入区与上述第二N型注入区被上述半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于上述半导体基板中形成第一P型注入区。上述第一N型注入区位于上述第二N型注入区与上述第一P型注入区之间。上述...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:/n提供一半导体基板；/n于所述半导体基板中形成一第一N型注入区与一第二N型注入区，其中所述第一N型注入区与所述第二N型注入区被所述半导体基板的一部分隔开；/n于所述半导体基板中形成一第一P型注入区，其中所述第一N型注入区位于所述第二N型注入区与所述第一P型注入区之间；/n对所述半导体基板进行一热处理工艺以于所述半导体基板中形成一P型阱与一N型阱，其中所述N型阱具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分，其中所述第一部分位于所述第三部分与所述P型阱之间，所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间，且所述第三部分的掺杂浓度低于...
【技术特征摘要】
20181221 TW 1071462971.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:
提供一半导体基板；
于所述半导体基板中形成一第一N型注入区与一第二N型注入区，其中所述第一N型注入区与所述第二N型注入区被所述半导体基板的一部分隔开；
于所述半导体基板中形成一第一P型注入区，其中所述第一N型注入区位于所述第二N型注入区与所述第一P型注入区之间；
对所述半导体基板进行一热处理工艺以于所述半导体基板中形成一P型阱与一N型阱，其中所述N型阱具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分，其中所述第一部分位于所述第三部分与所述P型阱之间，所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间，且所述第三部分的掺杂浓度低于所述第一部分的掺杂浓度与所述第二部分的掺杂浓度；
形成一栅极介电层于所述半导体基板上，其中所述栅极介电层覆盖所述P型阱与所述N型阱；以及
形成一栅极电极于所述栅极介电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，于所述半导体基板中形成所述第一N型注入区与所述第二N型注入区的步骤包括：
形成一第一注入掩膜于所述半导体基板上，其中所述第一注入掩膜具有一第一开口与一第二开口，所述第一开口与所述第二开口之间具有一间距；以及
经由所述第一开口与第二开口将N型掺质注入至所述半导体基板中。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，于所述半导体基板中形成所述第一P型注入区的步骤包括:
形成一第二注入掩膜于所述半导体基板上，其中所述第二注入掩膜覆盖所述第一N型注入区与所述第二N型注入区，且所述第二注入掩膜具有一第三开口；以及
经由所述第三开口将P型掺质注入至所述半导体基板中。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述间距为2至10微米。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述N型阱的第一部分与所述N型阱的第三部分之间具有一第一界面，所述N型阱的第二部分与所述N型阱的第三部分之间具有一第二界面，其中所述N型阱的第三部分的掺杂浓度从所述第一界面与所述第二界面朝向所述N型阱的第三部分的中心区逐渐降低。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述N型阱的第三部分的深度从所述第一界面与所述第二界面朝向所述N型阱的第三部分的中心区逐渐缩小。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述N型阱的第三部分的深度小于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：席德·内亚兹·依曼，陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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