【技术实现步骤摘要】
结终端结构及其制备方法
本申请涉及半导体
，特别涉及一种结终端结构及其制备方法。
技术介绍
在电力电子学领域中，功率半导体器件作为核心控制部件，其特性对电力系统性能起到至关重要的作用。其中，功率半导体器件的结终端结构是功率半导体器件的主要结构。目前，高压功率器件向小型化发展。如何保证高压功率器件的耐压的前提下减小高压功率器件的尺寸是研究的重点。
技术实现思路
本申请实施例的第一方面提供了一种结终端结构，所述结终端结构包括原胞区、位于所述原胞区外周的终端区以及位于所述终端区外周的截止区；所述结终端结构包括：具有第一导电类型的衬底；形成于所述衬底之上的具有第一导电类型的外延层；形成于所述终端区的所述外延层中的环绕所述原胞区的环形槽及填充在所述环形槽中的氧化层；形成于所述终端区的所述外延层中的具有第二导电类型的场限环；形成于所述截止区的所述外延层中的具有第一导电类型的注入区；形成于所述原胞区的所述外延层中的具有第二导电类型的源区；形成于所述源...
【技术保护点】
1.一种结终端结构(100)，所述结终端结构包括原胞区(10)、位于所述原胞区外周的终端区(20)以及位于所述终端区外周的截止区(30)；其特征在于，所述结终端结构包括：/n具有第一导电类型的衬底(1)；/n形成于所述衬底(1)之上的具有第一导电类型的外延层(2)；/n形成于所述终端区(20)的所述外延层(2)中的环绕所述原胞区(10)的环形槽(3)及填充在所述环形槽中的氧化层(4)；/n形成于所述终端区(20)的所述外延层(2)中的具有第二导电类型的场限环(5)；/n形成于所述截止区(30)的所述外延层中的具有第一导电类型的注入区(6)；/n形成于所述原胞区(10)的所述...
【技术特征摘要】
1.一种结终端结构(100)，所述结终端结构包括原胞区(10)、位于所述原胞区外周的终端区(20)以及位于所述终端区外周的截止区(30)；其特征在于，所述结终端结构包括：
具有第一导电类型的衬底(1)；
形成于所述衬底(1)之上的具有第一导电类型的外延层(2)；
形成于所述终端区(20)的所述外延层(2)中的环绕所述原胞区(10)的环形槽(3)及填充在所述环形槽中的氧化层(4)；
形成于所述终端区(20)的所述外延层(2)中的具有第二导电类型的场限环(5)；
形成于所述截止区(30)的所述外延层中的具有第一导电类型的注入区(6)；
形成于所述原胞区(10)的所述外延层(2)中的具有第二导电类型的源区(8)；
形成于所述源区中的具有第一导电类型的体区(7)。
2.根据权利要求1所述的结终端结构，其特征在于，所述环形槽的宽度范围为2μm-6μm，深度范围为3μm-5μm。
3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述氧化层(4)形成于所述场限环(5)的靠近所述原胞区的边缘处。
4.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述场限环(5)的两侧边缘处分别形成有所述氧化层(4)。
5.根据权利要求1所述的结终端结构，其特征在于，所述场限环(5)的数量为两个或两个以上，相邻的两个所述场限环的相邻的边缘与同一个所述氧化层邻接。
6.根据权利要求1所述的结终端结构，其特征在于，所述结终端结构还包括形成于所述外延层之上的场板(9)，所述场板位于所述源区的靠近所述终端区的边缘的上方和/或所述场限环的边缘的上方。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李巍，路鹏，张新，钟圣荣，邓小社，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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