基于平面S型结的耐高压元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于平面S型结的耐高压元件，涉及半导体技术领域，其特征在于：至少包括：单晶硅片、位于单晶硅片上表面的第二导电类型轻掺层、位于第二导电类型轻掺层一端的第一导电类型重掺杂层、位于第二导电类型轻掺层另一端的第二导电类型重掺层、与第一导电类型重掺杂层连通的第一电极、与所述第二导电类型重掺层连通的第二电极；相邻两条导电类型轻掺层之间为第一绝缘层；每条导电类型轻掺层的两侧均为第一绝缘层；第二导电类型轻掺层、第一绝缘层、第一导电类型重掺杂层和第二导电类型重掺层位于同一平面内；第一电极平行于上述导电类型轻掺层；第二电极平行于上述导电类型轻掺层；位于所述平面上的第二绝缘层。

High voltage resistant components based on plane s-junction

【技术实现步骤摘要】
基于平面S型结的耐高压元件
本技术涉及半导体
，特别是涉及到一种基于平面S型结的耐高压元件。
技术介绍
根据泊松方程，电势空间变化梯度等于电场空间强度，电场空间变化梯度等于空间电荷浓度。对于一种需要承受电压的结构，其电极两端所能承受的最大电压受限于材料本身的临界电场，以及施加电压后其内部的电场分布。在通常的耐压结构设计中，电场线方向为某一特定的方向，欲获得更高的耐压，就需要更厚的材料。导致高耐压器件体积较大，材料成本较高。为电势，ρ为电荷密度，ε0为真空介电常数，εr为相对介电常数。通过设计掺杂区与绝缘区的结构，使得电场线按照电势下降最快的方向即S型路径分布，通过扩展空间电荷区的长度，使电场线路径长度增加，可达到耐受高压的目的。传统的耐高压元件获得更大耐压特性的方法为改变材料的厚度或直接更换不同性质的材料，传统的方法存在几个缺点，一是耗尽区窄，容易形成区域性的电荷堆积，造成局部结温过高，容易导致击穿、漏电，同时会缩短器件的使用寿命；二是增加材料厚度，导致成本升高，同时也增加了器件工艺制作的难度。传统器件电场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：至少包括：/n单晶硅片(1013)，所述单晶硅片(1013)的厚度范围是400～600um；/n位于单晶硅片(1013)上侧的第二导电类型轻掺层(1022)；所述第二导电类型轻掺层(1022)包括M条相互平行的导电类型轻掺层，所述导电类型轻掺层为条形结构，其中：第N条导电类型轻掺层的尾部与第N+1条导电类型轻掺层的尾部连通；第N+1条导电类型轻掺层的头部与第N+2条导电类型轻掺层的头部连通；M为大于2的自然数，N为奇数；N小于M；每条导电类型轻掺层的两侧为第一绝缘层(1011)；/n位于第二导电类型轻掺层(1022)一端的第一导电类型重掺杂层(1...

【技术特征摘要】
1.一种基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：至少包括：
单晶硅片(1013)，所述单晶硅片(1013)的厚度范围是400～600um；
位于单晶硅片(1013)上侧的第二导电类型轻掺层(1022)；所述第二导电类型轻掺层(1022)包括M条相互平行的导电类型轻掺层，所述导电类型轻掺层为条形结构，其中：第N条导电类型轻掺层的尾部与第N+1条导电类型轻掺层的尾部连通；第N+1条导电类型轻掺层的头部与第N+2条导电类型轻掺层的头部连通；M为大于2的自然数，N为奇数；N小于M；每条导电类型轻掺层的两侧为第一绝缘层(1011)；
位于第二导电类型轻掺层(1022)一端的第一导电类型重掺杂层(1021)；
位于第二导电类型轻掺层(1022)另一端的第二导电类型重掺层(1023)；
与所述第一导电类型重掺杂层(1021)连接的第一电极；
与所述第二导电类型重掺层(1023)连接的第二电极；所述第二导电类型轻掺层(1022...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘旭捷，曲迪，
申请(专利权)人：华慧高芯科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44