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本实用新型公开了一种基于平面S型结的耐高压元件，涉及半导体技术领域，其特征在于：至少包括：单晶硅片、位于单晶硅片上表面的第二导电类型轻掺层、位于第二导电类型轻掺层一端的第一导电类型重掺杂层、位于第二导电类型轻掺层另一端的第二导电类型重掺层、...
该专利属于华慧高芯科技(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华慧高芯科技(深圳)有限公司授权不得商用。

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