自对准纳米线制造技术

一种方法，包括：形成衬底；在所述衬底上方形成第一纳米线；在所述衬底上方形成第二纳米线；在所述第一和第二纳米线的一部分上方形成栅极；注入掺杂剂，使得在所述栅极下方的所述第一和第二纳米线之间的区域不接纳所述掺杂剂，而远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的区域接纳所述掺杂剂，其中所述掺杂剂使远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的所述区域的材料非晶化；以及各向同性地蚀刻远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的区域。

Self aligned nanowires

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自对准纳米线
技术介绍
当前，基于鳍和平面的硅互补金属氧化物半导体（CMOS）技术被用于制造微电子学（microelectronics）。然而，摩尔定律已经将焦点转到纳米线装置技术上。从大批量生产（HVM）角度来看，在这种介质中的MOS技术被认为是不成熟的。例如，当前的蚀刻技术导致与纳米线相邻的未对准的间隔物（spacer），并且这些未对准的间隔物影响纳米线装置的性能和产量。附图说明根据下面给出的详细描述以及根据本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开的实施例，然而，所述实施例不应被拿来将本公开限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。图1图示了根据一些实施例的通过均匀蚀刻牺牲层形成的纳米线装置的三维（3D）视图。图2图示了根据一些实施例的图1的纳米线装置的截面。图3A-J图示了示出根据本公开的一些实施例的使用快速均匀蚀刻技术来形成纳米线装置的截面。图4图示了根据本公开的一些实施例的具有通过各种实施例的蚀刻机制形成的纳米线装置的智能装置或计算机系统或SoC（片上系统）。具体实施方式一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n衬底，所述衬底包括硅；/n第一纳米线，所述第一纳米线在所述衬底上方，其中所述第一纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第一纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第一纳米线的长度的第一和第二边缘上；/n第一间隔物对，所述第一间隔物对包括与所述第一纳米线的所述第一侧相邻的第一间隔物，以及与所述第一纳米线的所述第二侧相邻的第二间隔物；/n第二纳米线，所述第二纳米线部署在所述衬底上方，其中所述第二纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第二纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第二纳米线的长度的第一和第二边缘上；以及/n第二间隔物对，所述第二间隔物对包括与所述第二纳米线的所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：
衬底，所述衬底包括硅；
第一纳米线，所述第一纳米线在所述衬底上方，其中所述第一纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第一纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第一纳米线的长度的第一和第二边缘上；
第一间隔物对，所述第一间隔物对包括与所述第一纳米线的所述第一侧相邻的第一间隔物，以及与所述第一纳米线的所述第二侧相邻的第二间隔物；
第二纳米线，所述第二纳米线部署在所述衬底上方，其中所述第二纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第二纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第二纳米线的长度的第一和第二边缘上；以及
第二间隔物对，所述第二间隔物对包括与所述第二纳米线的所述第一侧相邻并且与所述衬底相邻的第一间隔物，以及与所述第二纳米线的所述第二侧相邻并且与所述衬底相邻的第二间隔物，
其中所述第一纳米线的所述第一间隔物的边缘直接在所述第二纳米线的所述第一间隔物的边缘上方对准，并且其中所述第一纳米线的所述第二间隔物的边缘直接在所述第二纳米线的所述第二间隔物的边缘上方对准。


2.根据权利要求1所述的设备，包括部署在所述第一和第二纳米线上方的栅极区域。


3.根据权利要求2所述的设备，包括第三间隔物对，所述第三间隔物对包括与所述栅极区域的第一侧相邻的第一间隔物，以及与所述栅极区域的第二侧相邻的第二间隔物，其中所述栅极区域的所述第一间隔物的边缘直接在所述第一和第二纳米线的所述第一间隔物的边缘上方对准，并且其中所述栅极区域的所述第二间隔物的边缘直接在所述第一和第二纳米线的所述第二间隔物的边缘上方对准。


4.根据权利要求2所述的设备，包括：
与所述第三间隔物对的所述第一间隔物相邻的源极区域；以及
与所述第三间隔物对的所述第二间隔物相邻的漏极区域。


5.根据权利要求4所述的设备，其中直接在所述第二纳米线下方的所述衬底的晶体结构与靠近后端的所述衬底的晶体结构不同。


6.根据权利要求4所述的设备，其中直接在所述第二纳米线下方的所述衬底包括微量的Ge、Xe或Ar，并且其中靠近后端的所述衬底仅包括硅。


7.根据权利要求4所述的设备，包括与所述源极区域和所述衬底相邻的第一区域，并且其中所述第一区域直接与所述第一、第二和第三间隔物对的所述第一间隔物相邻。


8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一区域包括以下中的一个或多个：Si、Ge、C、In、Ga、As或N。


9.根据权利要求4所述的设备，包括与所述漏极区域和所述衬底相邻的第二区域，并且其中所述第二区域直接与所述第一、第二和第三间隔物对的所述第二间隔物相邻。


10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二区域包括以下中的一个或多个：Si、Ge、C、In、Ga、As或N。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其中所述第一和第二纳米线包括以下中的一个或多个：Si、Ge、Ga、As、In、N或P。


12.根据权利要求1至11中任一项所述的设备，其中所述第一和第二纳米线由包括以下中的一个或多个的区域分离：Si、Ge、Gd、O、Hf、Si、Ta、Al或N。


13.一种系统，包括：
存储器；
处理器，所述处理器耦合到所述存储器，所述处理器包括根据权利要求1至12中任一项的装置；
无线接口，所述无线接口用来允许所述处理器与另一装置通信。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：M阿姆斯特隆，B古哈，姜俊成，BE比蒂，T贾尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US