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一种方法，包括：形成衬底；在所述衬底上方形成第一纳米线；在所述衬底上方形成第二纳米线；在所述第一和第二纳米线的一部分上方形成栅极；注入掺杂剂，使得在所述栅极下方的所述第一和第二纳米线之间的区域不接纳所述掺杂剂，而远离所述栅极的所述第一和第二...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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