一种横向高压功率半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种横向高压功率半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层；P型外延层包括第一P型掺杂区、N型漂移区、P型阱区、栅氧化层、多晶硅栅极、侧墙；P型阱区包括第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区；N型漂移区包括第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第二N型重掺杂区；金属阴极覆盖在第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区表面，金属阳极覆盖在第二N型重掺杂区表面。本发明专利技术充分利用电荷平衡原理，引入第一P型掺杂区填补N型漂移区的无电流区，改善电流导通路径，增加了受主电荷量，减少了第一N型掺杂区的面积，由此提高了第一N型掺杂区的掺杂浓度，在保持击穿电压不变的前提下降低器件的比导通电阻。

A transverse high voltage power semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
一种横向高压功率半导体器件
本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种横向高压功率半导体器件。
技术介绍
横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LateralDouble-diffusedMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，LDMOSFET)作为功率集成电路(PowerIntegratedCircuit，PIC)中的核心器件，具有易集成、驱动功率小、负温度系数等优点，多年来一直朝着高击穿电压(BreakdownVoltage，BV)和低比导通电阻(SpecificOn-Resistance，Ron,sp)的方向发展。较高的击穿电压需要器件具有较长的漂移区长度和较低的漂移区掺杂浓度，这导致器件具有较高的导通电阻。采用RESURF(降低表面电场)技术能够改善击穿电压和导通电阻之间的制约关系，可同时实现低导通电阻和高击穿电压，因此在各个场合取得应用。RESURF分为single-RESURF、double-RESURF、triple-RESURF。基本的single-RE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向高压功率半导体器件,其特征在于包括：P型衬底(1)、位于P型衬底(1)上方的P型外延层(2)、位于P型外延层(2)内部右侧的N型漂移区(3)、位于P型外延层(2)内部左侧的P型阱区(4)、位于P型阱区(4)内部左侧的第一P型重掺杂区(6)、位于P型阱区(4)内部右侧的第一N型重掺杂区(5)、位于P型外延层(2)内部中部的第一P型掺杂区(7)、位于N型漂移区(3)内部左侧的第一N型掺杂区(8)、位于N型漂移区(3)内部中部的第二N型掺杂区(9)、位于N型漂移区(3)内部右侧的第二N型重掺杂区(10)、位于P型阱区(4)上方的栅氧化层(11)、位于栅氧化层(11)上方的多晶硅栅极(12...

【技术特征摘要】
1.一种横向高压功率半导体器件,其特征在于包括：P型衬底(1)、位于P型衬底(1)上方的P型外延层(2)、位于P型外延层(2)内部右侧的N型漂移区(3)、位于P型外延层(2)内部左侧的P型阱区(4)、位于P型阱区(4)内部左侧的第一P型重掺杂区(6)、位于P型阱区(4)内部右侧的第一N型重掺杂区(5)、位于P型外延层(2)内部中部的第一P型掺杂区(7)、位于N型漂移区(3)内部左侧的第一N型掺杂区(8)、位于N型漂移区(3)内部中部的第二N型掺杂区(9)、位于N型漂移区(3)内部右侧的第二N型重掺杂区(10)、位于P型阱区(4)上方的栅氧化层(11)、位于栅氧化层(11)上方的多晶硅栅极(12)、位于栅氧化层(11)两侧的侧墙(13)；第一N型重掺杂区(5)与第一P型重掺杂区(6)通过金属短接形成金属阴极(14)；第一N型重掺杂区(5)与第一P型重掺杂区(6)紧邻设置，第二N型重掺杂区(10)通过金属短接形成金属阳极(15)。


2.根据权利要求1所述的一种横向高压功率半导体器件，其特征在于：第一P型掺杂区(7)的几何形状为：上下两边为直线，其两侧为曲线，且上边直线长度小于下边直线。


3.根据权利要求1所述的一种横向高压功率半导体器件，其特征在于：第二N型掺杂区(8)位于第一P型掺杂区(7)上方，其包括顶部的水平段，水平段右端接一向下的圆弧段，第二N型掺杂区(8)的水平段延伸至栅氧化层(11)的下方、第一P型掺杂区(7)的上方。


4.根据权利要求1所述的一种横向高压功率半导体器件，其特征在于：第一P型掺杂区(7)与第一N型掺杂区(8)的水平长度相等。
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【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，江逸洵，冯骏波，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51