温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种横向高压功率半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层；P型外延层包括第一P型掺杂区、N型漂移区、P型阱区、栅氧化层、多晶硅栅极、侧墙；P型阱区包括第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区；N型漂移区包括第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。