温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。