工艺腔室和半导体处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体；基座，设置在所述腔室本体内；加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射组件能够将入射至其表面的加热光线反射至所述基座处。这样，可以利用所设置的反射组件将入射至其表面的加热光线重新反射至基座上，能够极大的提高加热件所辐射出的加热光线的加热效率，能够使得基座以及位于基座上的晶片快速升温，降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体设备
，具体涉及一种工艺腔室和一种半导体处理设备。
技术介绍
一般地，半导体处理设备，例如，金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)设备，其结构一般包括腔室、位于腔室顶部的喷淋头以及位于腔室底部的加热灯管。喷淋头主要作为气体均匀性组件，保证工艺气体在腔室内的均匀扩散。加热灯管一般为红外灯管，用于腔室、载板、晶圆的加热工作。但是，传统地，腔室壁的表面为平面，并且，该面并没有经过抛光处理，这样，当红外灯管的加热光线入射至腔室壁上时，该部分光线会被腔室壁吸收或漫反射，这样，不仅降低了红外灯管的加热效率，而且，还不利于设备本身降温。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种半导体处理设备。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括：腔室本体；基座，设置在所述腔室本体内；加热件，位于所述基座和所述腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：/n腔室本体；/n基座，设置在所述腔室本体内；/n加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；/n反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射组件能够将入射至其表面的加热光线反射至所述基座处。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：
腔室本体；
基座，设置在所述腔室本体内；
加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；
反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射组件能够将入射至其表面的加热光线反射至所述基座处。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述反射组件包括反射件，所述反射件具有反射面，所述反射面与所述加热件相对设置。


3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述反射面呈平面或弧面，所述弧面的凸出方向远离所述加热件。


4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述加热件包括沿所述腔室本体的径向间隔设置的若干个红外加热灯管；
当所述反射面呈弧面时，所述弧面包括间隔设置的多个子弧面，每个所述子弧面至少对应一个所述红外加热灯管，且所述子弧面将与其所对应的所述红外加热灯管包裹在其内。


5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高印博，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11