【技术实现步骤摘要】
一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法
本专利技术涉及硅片制备
，具体涉及一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法。
技术介绍
硅外延材料是半导体集成电路产业的关键基础材料，大规模集成电路多数产品工艺均使用硅外延片。硅外延衬底多采用重掺杂硅片，在外延过程中，衬底中的杂质在高温状态下由衬底的正面与背面以原子形式进入气相中，这些杂质进入滞留层，在外延生长过程中再次掺入到外延层中，产生自掺杂效应，致使外延层电阻率下降，影响器件性能。因此，提出了背封技术，即在衬底背面沉积一层高纯二氧化硅薄膜，对背面的杂质起到封闭作用，能够有效抑制杂质的挥发，减小自掺杂对电阻率及其均匀性的影响，这是其有利的一面；然而，背封二氧化硅薄膜也有其不利的影响：一是在外延过程尤其是厚层外延生长过程中，在硅片边缘背面的二氧化硅层成核形成多晶或非晶颗粒，二是在外延过程中，加热方式多为射频加热，基座温度高于硅片温度，同时由于硅片与背封二氧化硅薄膜的热膨胀系数不同，硅片形变导致边缘翘起。如果硅片背面边缘的二氧化硅薄膜被剥离掉，能够降低外延片的翘曲变形程度，
【技术保护点】
1.一种硅片背封层的边缘去除装置，其特征在于，包括：夹具，所述夹具包括相对设置的第一夹板和第二夹板，所述第一夹板和所述第二夹板之间形成夹持空间；放置于所述夹持空间内的底膜和至少一个功能膜，所述底膜贴设于所述第二夹板上；在仅有一个功能膜的情况下，所述功能膜和所述底膜之间用于夹设一片硅片；在具有至少两个功能膜的情况下，所述至少两个功能膜层叠设置，相邻两个所述功能膜之间以及所述功能膜和所述底膜之间均用于夹设一片硅片；所述功能膜包括叠设的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层的面积大于所述第二膜层的面积以在所述第一膜层上形成台阶面，所述台阶面与所述硅片上形成有背封层的一面的边缘相对，所述...
【技术特征摘要】
1.一种硅片背封层的边缘去除装置，其特征在于，包括：夹具，所述夹具包括相对设置的第一夹板和第二夹板，所述第一夹板和所述第二夹板之间形成夹持空间；放置于所述夹持空间内的底膜和至少一个功能膜，所述底膜贴设于所述第二夹板上；在仅有一个功能膜的情况下，所述功能膜和所述底膜之间用于夹设一片硅片；在具有至少两个功能膜的情况下，所述至少两个功能膜层叠设置，相邻两个所述功能膜之间以及所述功能膜和所述底膜之间均用于夹设一片硅片；所述功能膜包括叠设的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层的面积大于所述第二膜层的面积以在所述第一膜层上形成台阶面，所述台阶面与所述硅片上形成有背封层的一面的边缘相对，所述台阶面上开设有若干出液口；刻蚀液供给管路，所述刻蚀液供给管路与所述若干出液口连通，用于通过所述若干出液口向所述硅片上形成有背封层的一面的边缘喷射刻蚀液。
2.根据权利要求1所述的边缘去除装置，其特征在于，所述刻蚀液供给管路包括供应管和若干刻蚀管，所述供应管和所述若干刻蚀管设置于所述第一膜层内部，所述供应管的第一端与每一所述刻蚀管的第一端连通，每一所述刻蚀管的第二端与一所述出液口连通，所述若干刻蚀管呈放射状设置。
3.根据权利要求2所述的边缘去除装置，其特征在于，在具有至少两个功能膜的情况下，相邻的两个所述第一膜层内部的供应管的第二端通过连接管连通，所述连接管还与刻蚀液供给源连通。
4.根据权利要求1所述的边缘去除装置，其特征在于，所述出液口的横截面形状为圆形或长...
【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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