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本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体；基座，设置在所述腔室本体内；加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射...
该专利属于东泰高科装备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东泰高科装备科技有限公司授权不得商用。

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