【技术实现步骤摘要】
晶圆翘曲度测量装置及方法
本专利技术涉及晶圆检测
，尤其涉及一种晶圆翘曲度测量装置及方法。
技术介绍
在半导体器件制造中，一般需要先提供晶圆，在晶圆上形成图案化的膜层结构，从而制备成各种电路元器件结构。晶圆的材料一般为硅片，当前主流的硅片直径为300mm。在3DNAND存储芯片的制造工艺中，晶圆表面需要堆叠沉积数十上百层膜层，当晶圆上堆叠的膜层的层数达到128层、196层甚至更多层时，膜层与膜层间的应力越来越大，晶圆的翘曲(bow)程度越来越明显。晶圆翘曲将直接造成后续工艺加工困难，甚至无法形成有效的功能结构单元，因此需要对晶圆的翘曲度(bow值)进行检测。然而，传统的测量方法及仪器由于技术的局限性越来越难以符合要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种晶圆翘曲度测量装置及方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种晶圆翘曲度测量装置，包括：支撑部件，用于承载晶圆；导电部件...
【技术保护点】
1.一种晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，包括：/n支撑部件，用于承载晶圆；/n导电部件，用于向所述晶圆传导电荷；/n力学传感部件，包括带电结构，所述带电结构与所述支撑部件间隔一定距离设置，所述力学传感部件用于感测所述带电结构与所述晶圆之间的相互作用力；/n移动部件，与所述力学传感部件连接，用于控制所述力学传感部件以一定的轨迹移动，以使所述力学传感部件完成对所述带电结构与所述晶圆上不同位置处的相互作用力的感测；/n数据处理模块，用于接收所述力学传感部件的感测结果，根据所述感测结果计算所述晶圆的翘曲度。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，包括：
支撑部件，用于承载晶圆；
导电部件，用于向所述晶圆传导电荷；
力学传感部件，包括带电结构，所述带电结构与所述支撑部件间隔一定距离设置，所述力学传感部件用于感测所述带电结构与所述晶圆之间的相互作用力；
移动部件，与所述力学传感部件连接，用于控制所述力学传感部件以一定的轨迹移动，以使所述力学传感部件完成对所述带电结构与所述晶圆上不同位置处的相互作用力的感测；
数据处理模块，用于接收所述力学传感部件的感测结果，根据所述感测结果计算所述晶圆的翘曲度。
2.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，
所述数据处理模块还用于根据所述感测结果建立三维力学模型，根据所述三维力学模型得到晶圆任意位置处的翘曲情况。
3.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，
还包括：显示模块，用于显示所述三维力学模型。
4.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，
所述支撑部件包括两个以上支撑体，所述支撑体分立地分布在一圆周位置处，所述支撑体靠近圆心的一端到所述圆心的距离小于或等于所述晶圆的半径。
5.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，
所述导电部件，具体用于向所述晶圆传导第一电性的电荷，以使所述晶圆带有第一电性；
所述带电结构带有第一电性，所述力学传感部件具体用于感测所述带电结构与所述晶圆之间的斥力大小；或者，所述带电结构带有与所述第一电性相反的第二电性，所述力学传感部件具体用于感测所述带电结构与所述晶圆之间的引力大小。
6.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度测量装置，其特征在于，所述移动部件用于控制所述力学传感部件以一定的轨迹移动，包括：
控制所述力学传感部件以与所述支撑部件的承载面相平行的方向移动。
技术研发人员：王凡，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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