一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体材料制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，包括晶体生长装置与炉体升降装置，在晶体生长装置中通过自上而下的多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；通过炉体升降装置，避免因坩埚内部熔体震动而导致的生长界面波动带来的晶体缺陷，使得晶体尾部多晶率由原来6%下降到2%，晶体的EPD及电性能均匀性得到明显提升；本实用新型专利技术提供的晶体生长炉结构简单，操作便捷，方便了装炉与出炉操作，工作效率由3炉/（人·h）提高到5炉/（人·h）。

A crystal growth furnace with furnace body lifting mechanism

【技术实现步骤摘要】
一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉
本技术涉及半导体材料制备装置
，更具体而言，涉及一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉。
技术介绍
晶体生长工艺主要包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等，垂直梯度凝固法具有设备造价低，容易实现程序控制，生长的单晶具有较低的位错密度和较高的完整性、均匀性等诸多优势，因炉体结构相对质量较大,现有可工业化生产设备大都是对坩埚进行运动来实现炉体与坩埚的相对移动。坩埚的移动不可避免带来的机械震动导致熔体的波动不利于晶体生长界面的稳定，进而影响晶体质量。
技术实现思路
为了克服现有技术中所存在的不足，本技术提供一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，避免因熔体震动而导致的生长界面波动到来的晶体缺陷。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案为：一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，包括晶体生长装置与炉体升降装置；所述晶体生长装置包括PBN坩埚、石英管、加热器，所述PBN坩埚设置在石英管内，所述石英管上部设置有石英帽，石英管放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，其特征在于：包括晶体生长装置与炉体升降装置；所述晶体生长装置包括PBN坩埚（1）、石英管（2）、加热器（3），所述PBN坩埚（1）设置在石英管（2）内，所述石英管（2）上部设置有石英帽（4），石英管（2）放置在炉芯（5）上，炉芯内设置有玻璃棒（6）；所述晶体生长装置外设置有保温装置（7），所述保温装置（7）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（7）内壁镶嵌有加热器（3）；所述炉体升降装置包括提拉装置（8）与轨道装置（9），所述提拉装置（8）下端与保温装置（7）固定连接，提拉装置（8）外侧与轨道装置（9）滑动连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，其特征在于：包括晶体生长装置与炉体升降装置；所述晶体生长装置包括PBN坩埚（1）、石英管（2）、加热器（3），所述PBN坩埚（1）设置在石英管（2）内，所述石英管（2）上部设置有石英帽（4），石英管（2）放置在炉芯（5）上，炉芯内设置有玻璃棒（6）；所述晶体生长装置外设置有保温装置（7），所述保温装置（7）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（7）内壁镶嵌有加热器（3）；所述炉体升降装置包括提拉装置（8）与轨道装置（9），所述提拉装置（8）下端与保温装置（7）固定连接，提拉装置（8）外侧与轨道装置（9）滑动连接。


2.根据权利要求1所述的一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，其特征在于：所述加热器（3）自上而下设置为4-10组。


3.根据权利要求2所述的一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，其特征在于：所述加热器（3）分别独立控制。


4.根据权利要求1所述的一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，其特征在于：所述晶体生长装置、保温装置（7）与炉体升降装置竖直中心轴线重合。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：高佑君，柴晓磊，樊海强，
申请(专利权)人：山西中科晶电信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14