【技术实现步骤摘要】
一种一体成型LED器件及其制作方法
本专利技术属于照明设备
，特别是涉及一种一体成型LED器件及其制作方法。
技术介绍
现有的LED器件的压模结构如图1所示，图1为现有的LED器件的压模结构的示意图，可以看出这种LED器件的结构是在BT基板101上面固定裸铜板102，在裸铜板102上面制作LED晶片103和焊线104，然后用封装胶体105进行压模，这种封装胶体一般是硅胶。一般来说，BT基板101的厚度为0.28mm，封装胶体105的厚度为0.3mm，这种BT基板普遍使用日本三菱的瓦斯，成本比较高，且封装胶体105与BT基板101之间的结合力较差，导致封装器件的可靠性不足，封装制程中有胶体脱落的风险，在高温高湿的环境中，封装胶体与BT基板还存在分层的问题，这样长期使用的话，死灯率较高，因此存在很大的品质风险。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种一体成型LED器件及其制作方法，能够避免结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。本专利技术提供的一种一体成型LED器...
【技术保护点】
1.一种一体成型LED器件，其特征在于，包括裸铜片，所述裸铜片上面固定有LED晶片和焊线，还包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体。/n
【技术特征摘要】
1.一种一体成型LED器件，其特征在于，包括裸铜片，所述裸铜片上面固定有LED晶片和焊线，还包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体。
2.根据权利要求1所述的一体成型LED器件，其特征在于，所述LED晶片为蓝光晶片或RGB晶片。
3.根据权利要求1所述的一体成型LED器件，其特征在于，所述胶体的高度为0.2mm至3.0mm。
4.一种一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一裸铜片，对所述裸铜片进行蚀刻；
在所述裸铜片上电镀Ni和Ag；
在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜；
在所述裸铜片上固定LED晶片和焊线；
利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片并烘烤和切割。
5.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
所述对所述裸铜片进行蚀刻之前还包括：
对所述裸铜片进行清洗、压干膜、曝光和显影。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇鑫，牛艳玲，何静静，
申请(专利权)人：盐城东山精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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