【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合方法、控制单元和系统
本申请涉及集成电路制造
，尤其涉及一种晶圆键合方法、控制单元和系统。
技术介绍
在当前集成电路制造技术中，为了增加芯片的集成度，晶圆键合工艺是核心技术。在晶圆键合工艺中，晶圆键合对准精度和键合扭曲度是表征晶圆键合质量的关键参数。其中，键合扭曲度可以表征键合后的晶圆产生的形变量的大小。晶圆键合的对准精度较差，则会严重影响工艺的后段制程，甚至会影响电路的连接，降低集成电路的良率。因此，提高晶圆键合过程中的晶圆键合对准精度和键合扭曲度是业界研究热点。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种晶圆键合方法、控制单元和系统，以提高晶圆键合过程中的晶圆键合对准精度和键合扭曲度。为了达到上述专利技术目的，本申请采用了如下技术方案：本申请的第一方面提供了一种晶圆键合方法，其包括：获取卡盘的卡盘中心位置，所述卡盘用于传送待键合的第一晶圆；在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置；计算所述卡盘中心位置与所...
【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：/n获取卡盘的卡盘中心位置，所述卡盘用于传送待键合的第一晶圆；/n在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置；/n计算所述卡盘中心位置与所述晶圆中心位置之间的偏移量；/n当所述偏移量不在允许偏移量范围内时，根据所述偏移量控制装载在所述卡盘上的顶针移动到所述晶圆中心位置；/n待传送到所述卡盘上的第一晶圆与待键合的第二晶圆对准后，控制所述顶针向外顶所述传送到卡盘上的第一晶圆，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
获取卡盘的卡盘中心位置，所述卡盘用于传送待键合的第一晶圆；
在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置；
计算所述卡盘中心位置与所述晶圆中心位置之间的偏移量；
当所述偏移量不在允许偏移量范围内时，根据所述偏移量控制装载在所述卡盘上的顶针移动到所述晶圆中心位置；
待传送到所述卡盘上的第一晶圆与待键合的第二晶圆对准后，控制所述顶针向外顶所述传送到卡盘上的第一晶圆，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取卡盘的卡盘中心位置，具体包括：
获取与所述卡盘同心的同一圆周上的至少三个第一位置点的位置信息；
根据所述至少三个第一位置点的位置信息获取所述卡盘的卡盘中心位置。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取卡盘的卡盘中心位置，具体包括：
获取设置在所述卡盘表面上且与所述卡盘同心的同一圆周上的至少三个第一标记的位置信息；
根据所述至少三个第一标记的位置信息，获取所述卡盘的卡盘中心位置。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述与所述卡盘同心的同一圆周为所述卡盘边缘所在的圆周。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置，具体包括：
获取与所述第一晶圆同心的同一圆周上的至少三个第二位置点的位置信息；
根据所述至少三个第二位置点的位置信息获取所述第一晶圆的晶圆中心位置。
6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置，具体包括：
获取设置在所述第一晶圆表面上且与所述第一晶圆同心的同一圆周上的至少三个第二标记的位置信息；
根据所述至少三个第二标记的位置信息，获取所述第一晶圆的晶圆中心位置。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述与第一晶圆同心的同一圆周为所述第一晶圆边缘所在的圆周。
8.一种晶圆键合控制单元，其特征在于，包括：
第一获取单元，用于获取卡盘的卡盘中心位置，所述卡盘用于传送待键合的第一晶圆；
第二获取单元，用于在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后，获取...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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