一种抛光减薄装置和抛光减薄方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，包括：托盘，用于固定待加工部件，所述待加工部件包括InP基晶圆；喷头，用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，以对所述待加工表面进行抛光；磁转子，放置在所述待加工部件的待加工表面上，用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨，对所述待加工表面进行减薄。由于减薄过程中待加工部件如InP基晶圆本身不旋转，因此，可以大大降低抛光减薄过程中对待加工部件如InP基晶圆的挤压应力，大大降低待加工部件如InP基晶圆的机械加工损伤。

A polishing thinning device and a polishing thinning method

【技术实现步骤摘要】
一种抛光减薄装置和抛光减薄方法
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。
技术介绍
采用III-V族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为军事通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化国防装备的核心部件之一。在众多的III-V族化合物中，InP(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，InP和InGaAs(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是HBT(Heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，InP材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，InP材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的InP基RFIC(射频集成电路)的制造工艺中，如何本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光减薄装置，其特征在于，包括：/n托盘，用于固定待加工部件，所述待加工部件包括InP基晶圆；/n喷头，用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，以对所述待加工表面进行抛光；/n磁转子，放置在所述待加工部件的待加工表面上，用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨，对所述待加工表面进行减薄。/n

【技术特征摘要】
1.一种抛光减薄装置，其特征在于，包括：
托盘，用于固定待加工部件，所述待加工部件包括InP基晶圆；
喷头，用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，以对所述待加工表面进行抛光；
磁转子，放置在所述待加工部件的待加工表面上，用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨，对所述待加工表面进行减薄。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括控制部件；
所述控制部件与所述磁转子和所述喷头相连，用于控制所述喷头和所述磁转子交替工作，以对所述待加工表面交替进行抛光和减薄。


3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁转子包括截面为半圆形的柱状磁性结构和位于所述磁性结构底部的研磨层，以通过所述研磨层对所述待加工表面进行机械研磨。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述研磨层为金属氧化物层，所述金属氧化物层包括三氧化二铝层。


5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
热板，设置于所述托盘底部，用于对所述托盘进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宁，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11