薄膜沉积系统及薄膜沉积方法技术方案

一种薄膜沉积系统，包括原子层沉积单元(1)、化学气相沉积单元(2)以及清洗气体喷出单元(3)；原子层沉积单元(1)设置有第一组气体喷出单元(11)，化学气相沉积单元(2)设置有第二组气体喷出单元(21)，清洗气体喷出单元(3)包括至少一个设置于原子层沉积单元(1)以及化学气相沉积单元(2)之间的主清洗气体喷嘴(31)；第一组气体喷出单元(11)连接原子层沉积反应需要的第一反应源，第二组气体喷出单元(21)连接化学气相沉积反应需要的第二反应源。还公开了一种薄膜沉积方法。

Film deposition system and method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜沉积系统及薄膜沉积方法
本专利技术涉及沉积系统，更具体地说，涉及一种薄膜沉积系统及薄膜沉积方法。
技术介绍
相关技术中的TFE工艺流程主要无机膜膜沉积主要有2种：1.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）；2.原子层沉积（ALD）；上述沉积方法具有一下特性：1. CVD沉膜速度快，但是沉积膜层相对ALD沉积膜层疏松。CVD生长过程为柱(岛)状方式向上生长可以高速生长，但因为基底温度较低(TFE要求），膜质中会形成一些针孔导致膜层WVTR（水气透过率）特性变差。因此现有做法为增加厚度来满足WVTR的需求。2. ALD相对于CVD沉积速度慢，但是膜层致密。ALD沉积为一种层状生长模式.速率及低，一个循环只生长一层原子层厚度的膜层。但相对于CVD,可以在很薄的膜质下达到优秀的WVTR特性需求。   现有技术在生产过程中，需要对薄膜层进行反复沉积，既需要进行化学气相沉积也需要进行原子层沉积，现有技术中，化学气相沉积与原子层沉积均在各自的腔室中进行，待沉积器件需要在完成其中一项制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积系统，其特征在于，包括原子层沉积单元（1）、化学气相沉积单元（2）以及清洗气体喷出单元（3） ；/n所述原子层沉积单元（1）设置有第一组气体喷出单元（11），所述化学气相沉积单元（2）设置有第二组气体喷出单元（21），所述清洗气体喷出单元（3）包括至少一个设置于所述原子层沉积单元（1）以及所述化学气相沉积单元（2）之间的主清洗气体喷嘴（31）；/n所述第一组气体喷出单元（11）连接原子层沉积反应需要的第一反应源，所述第二组气体喷出单元（21）连接化学气相沉积反应需要的第二反应源。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种薄膜沉积系统，其特征在于，包括原子层沉积单元（1）、化学气相沉积单元（2）以及清洗气体喷出单元（3）；
所述原子层沉积单元（1）设置有第一组气体喷出单元（11），所述化学气相沉积单元（2）设置有第二组气体喷出单元（21），所述清洗气体喷出单元（3）包括至少一个设置于所述原子层沉积单元（1）以及所述化学气相沉积单元（2）之间的主清洗气体喷嘴（31）；
所述第一组气体喷出单元（11）连接原子层沉积反应需要的第一反应源，所述第二组气体喷出单元（21）连接化学气相沉积反应需要的第二反应源。


根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述第一组气体喷出单元（11）内设置有第一反应源喷嘴（111）用于喷射所述第一反应源，以及与所述第一反应源喷嘴（111）交替设置的第一清洗气体喷嘴（112）。


根据权利要求2所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述原子层沉积单元（1）设置有横向电场，以激活由所述第一反应源喷嘴（111）喷出的所述第一反应源。


根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述第二组气体喷出单元（21）内设置有第二反应源喷嘴（211）用于喷射所述第二反应源，以及设置于所述第二反应源喷嘴（211）两侧的第二清洗气体喷嘴（212）。


根据权利要求4所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述化学气相沉积单元（2）内设置有横向电场。


根据权利要求1至5任一项所述的薄膜沉积系统，其特征在于，所述清洗气体喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵小虎，林茂仲，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44