钛酸铜钙薄膜的制备方法和钛酸铜钙薄膜技术

本申请提供一种钛酸铜钙薄膜的制备方法和钛酸铜钙薄膜，钛酸铜钙薄膜具有优异的台阶覆盖性、膜厚均匀性和薄膜连续性，尤其适用于高深宽比结构。该钛酸铜钙薄膜的制备方法包括：在衬底上形成层状沉积结构，所述层状沉积结构包括至少一个二氧化钛层、至少一个氧化铜层和至少一个氧化钙或碳酸钙层；将所述层状沉积结构置于含氧气氛中进行高温退火处理，得到钛酸铜钙薄膜。

Preparation of cupric calcium titanate film and cupric calcium titanate film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钛酸铜钙薄膜的制备方法和钛酸铜钙薄膜
本申请涉及无机非金属材料制备
，并且更具体地，涉及一种钛酸铜钙薄膜的制备方法和钛酸铜钙薄膜。
技术介绍
钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12，CCTO)是近年来发现的一种新型陶瓷材料，具有超高的介电常数(约104-105)以及较宽的频率和温度稳定范围。制备高质量的CCTO薄膜对电子器件(例如电容)的微型化具有重大的意义。目前，制备CCTO薄膜的工艺主要有金属有机化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)、脉冲激光沉积(PulsedLaserDeposition，PLD)、射频磁控溅射(RadioFrequencySputtering，RFSputtering)、溶胶凝胶法(Sol-Gel)等。与其余工艺相比，MOCVD可以在通孔(Via)、沟槽(trench)、支柱(pillar)等3维(3Dimensions，3D)结构表面沉积CCTO薄膜，其基本原理是将含有钙(Ca)、铜(Cu)、钛(Ti)的气态前驱体与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钛酸铜钙薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成层状沉积结构，所述层状沉积结构包括至少一个二氧化钛层、至少一个氧化铜层和至少一个氧化钙或碳酸钙层；/n将所述层状沉积结构置于含氧气氛中进行高温退火处理，得到钛酸铜钙薄膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种钛酸铜钙薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成层状沉积结构，所述层状沉积结构包括至少一个二氧化钛层、至少一个氧化铜层和至少一个氧化钙或碳酸钙层；
将所述层状沉积结构置于含氧气氛中进行高温退火处理，得到钛酸铜钙薄膜。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述层状沉积结构中Ca元素、Cu元素和Ti元素的摩尔比例等于或者接近1:3:4。


根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成层状沉积结构，包括：
采用原子层沉积或者化学气相沉积工艺，在所述衬底上沉积所述二氧化钛层、所述氧化铜层、和所述氧化钙或碳酸钙层。


根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成层状沉积结构，包括：
采用循环沉积方式，在所述衬底上沉积所述二氧化钛层、所述氧化铜层、和所述氧化钙或碳酸钙层。


根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述循环沉积方式的循环次数N＝1时，在所述衬底上沉积所述二氧化钛层、所述氧化铜层、和所述氧化钙或碳酸钙层的顺序依次为：
二氧化钛层、氧化铜层、氧化钙或碳酸钙层；或者
二氧化钛层、氧化钙或碳酸钙层、氧化铜层；或者
氧化铜层、二氧化钛层、氧化钙或碳酸钙层；或者
氧化铜层、氧化钙或碳酸钙层、二氧化钛层；或者
氧化钙或碳酸钙层、二氧化钛层、氧化铜层；或者
氧化钙或碳酸钙层、氧化铜层、二氧化钛层。


根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成层状沉积结构，包括：
采用循环沉积方式，在所述衬底上沉积所述二氧化钛层和所述氧化铜层，并在所述二氧化钛层和/或所述氧化铜层之间沉积有所述氧化钙或碳酸钙层。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成层状沉积结构，包括：
步骤一，将所述衬底置于原子层沉积反应腔中；
步骤二，在所述原子层沉积反应腔中交替通入含Ti前驱体和含氧前驱体，以在所述衬底上沉积所述二氧化钛层；
步骤三，在所述原子层沉积反应腔中交替通入含Cu前驱体和含氧前驱体，以在所述二氧化钛层上沉积所述氧化铜层；
步骤四，在所述原子层沉积反应腔中交替通入含Ca前驱体和含氧前驱体，以在所述氧化铜层上沉积所述氧化钙或碳酸钙层；
步骤五，循环执行步骤二至步骤四N次，得到所述层状沉积结构。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成层状沉积结构，包括：
步骤一，将所述衬底置于化学气相沉积反应腔中；
步骤二，在所述化学气相沉积反应腔中同时通入含Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆斌，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44