一种高电位梯度钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法技术

技术编号:8075084 阅读:255 留言:0更新日期:2012-12-12 22:12
本发明专利技术提供一种高电位梯度钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法。首先用液相沉淀法制备氢氧化铝与钛酸铜钙均匀混合的粉体,以硝酸铝溶液为滴定剂,氨水溶液为沉淀剂将反应的pH值控制在8到9之间,用电磁搅拌机搅拌钛酸铜钙悬浮液使氢氧化铝均匀分布;将所得悬浮液过滤,用蒸馏水水洗后,置于烘箱中在120℃下烘干,研磨、过筛后煅烧得到均匀混合粉体;然后用传统固相法制备陶瓷试样,得到偏铝酸铜与钛酸铜钙的复相陶瓷,其中在1100℃保温4小时烧结的氧化铝配比为8wt%的钛酸铜钙复相陶瓷试样,电位梯度高达2063V/mm,是纯的钛酸铜钙试样的9倍以上。本发明专利技术工艺简单,制备的复相陶瓷具有电位梯度高,储能密度大,低频损耗低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电气绝缘陶瓷材料领域,特别涉及一种用液相沉淀法制备混合粉体,然后用传统固相法制备高电位梯度钛酸铜钙(CCTO)复相陶瓷的方法。
技术介绍
由于元器件市场对器件的微型化、高集成度的要求进一步提高,将高介电常数材料应用于陶瓷电容器成为目前关注的热点。 CaCu3Ti4O12(CCTO)作为一种新型的电介质材料,以其良好的综合性能引起了人们极大的关注,它拥有介电常数高,性能稳定的特点。其室温下的介电常数值高达105,在100K-380K的温度范围内几乎保持不变,通过中子粉末衍射,X射线粉末衍射和拉曼散射研究均未发现任何结构相变。这些性质使其有望在高密度能量存储、薄膜器件、介电电容器等一系列高新
中获得广泛的应用。然而,另一方面,CCTO陶瓷的介电损耗和直流电导大且击穿强度低,限制了它的应用,因此迫切需要在保持其高介电常数的基础上,降低损耗和直流电导,提高击穿场强。对CCTO性能的改善主要集中在掺杂改性方面,而复相陶瓷是以陶瓷材料为基体,以陶瓷纤维、晶须、晶片或者颗粒为补强体,通过适当的复合工艺制备的、性能可设计的一类新型材料。通过制备不同的陶瓷材料与CCTO的复相陶瓷来改善CCTO陶瓷的性能是十分可行的。目前关于CCTO复相陶瓷的制备方法中,原料的混合方式主要有两种,一是直接将第二相与合成CCTO的原材料混合,二是将两种陶瓷粉体分别预烧合成后按一定比例混合;然后将混合粉体球磨一定时间后,改变烧结温度及保温时间来确定最佳的工艺参数,获得性能最佳的试样。曹蕾等人按照一定的配比,将合成CCTO的初始原料与MgTiO3粉体混合后球磨,制备出的复相陶瓷试样的电位梯度由28V/mm提高到295V/mm (参见曹蕾,刘鹏,周剑平等,CaCu3Ti4O12-MgTiO3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征.物理学报,2011,60(3) :037701)。Jiancong Yuan 等通过 sol-gel 方法分别合成 CCTO 与 MgTiO3 的预烧粉体,然后再按一定的比例混合,制备出的试样电位梯度由200V/mm提高到了 1200V/mm(参见 Jiancong Yuan, Yuanhua Lin, Huafei Lu, Bo Cheng and Ce-ffen Nan, Dielectricand Varistor Behavior of CaCu3Ti4O12 - MgTiO3 Composite Ceramics, The AmericanCeramic Society, 2011, 94(7):1966-1969)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供,该方法制备得到的钛酸铜钙复相陶瓷可明显改善钛酸铜钙陶瓷的综合性能。为达到以上目的,本专利技术采用了以下技术方案。I)液相沉淀法制备均匀混合的粉体以硝酸铝溶液为铝源滴定剂,氨水为沉淀剂,将铝源滴定剂以及沉淀剂滴入钛酸铜钙悬浮液中进行滴定反应,滴定反应中PH值控制在8-9,滴定反应后过滤,然后用蒸馏水洗涤过滤得到的滤渣,将洗涤后的滤渣烘干,烘干后研磨、过筛,然后于950°C保温4h得到均匀混合的粉体;滴定反应中控制滴加速度,滴加速度越慢则氢氧化铝分布的越均匀,滴加过程中用氨水控制反应溶液的PH值在8、;本专利技术采用液相沉淀法制备氢氧化铝与钛酸铜钙均匀混合的粉体,由zeta电位测量可知,钛酸铜钙悬浮液在pH为8 10之间时最为稳定,而铝离子沉淀的PH范围为Γ10,因此确定滴定反应的pH值控制在8、之间;以硝酸铝为铝源滴定剂,氨水为沉淀剂,根据复相陶瓷的配比调整硝酸铝的含量,可以制备不同配比的复相陶瓷;2)传统固相法制备陶瓷试样经过步骤I)后,将均匀混合的粉体通过造粒、压片、排胶后在空气中进行烧结,烧结的条件为自室温升温至1080-1100°C后保温4-20h,保温后降温至室温,得到偏铝酸铜与钛酸铜钙的复相陶瓷试样。所述硝酸铝的用量以氧化铝计为钛酸铜钙质量的6-10%。所述钛酸铜钙悬浮液的制备方法为称取30g球磨后的钛酸铜钙预烧粉体,向钛酸铜钙预烧粉体中加蒸馏水至350ml,加入蒸馏水后用玻璃棒搅拌均匀,然后置于电磁搅拌机上搅拌20min得钛酸铜钙悬浮液。所述钛酸铜钙预烧粉体的制备方法为称取分析纯的CaCO3 粉末 15. 20g、Cu0 粉末 36. 26g 以及 TiO2 粉末 48. 53g JfCaCO3粉末、CuO粉末以及TiO2粉末装入球磨罐中进行球磨,球磨介质为IOOml的乙醇,球磨后烘干、过100目筛得粉体,将粉体装入坩埚后置于马弗炉中进行预烧,预烧的程序为自室温以200°C /h升温至950°C后保温10h,保温后随炉冷却至室温。所述硝酸铝溶液的制备方法为将称取的13. 24-22. 06g Al (NO3)3^H2O配制成铝离子浓度为O. 4mol/L的Al (NO3) 3水溶液。所述滴定反应中钛酸铜钙悬浮液采用电磁搅拌机进行搅拌。滴定反应过程中,使用电磁搅拌机不停搅拌钛酸铜钙悬浮液,可提高氢氧化铝分布的均匀性。所述步骤2)中升温的速度为200°C /h,降温的速度为150°C /h。本专利技术所述钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法提出了用液相沉淀法制备混合粉体,然后用传统固相法制备CCTO复相陶瓷试样的方法,制备方法简单,操作方便,所制备的偏铝酸铜与钛酸铜钙的复相陶瓷综合性能优良,电位梯度明显提高,储能密度大幅增加,且低频下损耗降低;本专利技术制备的钛酸铜钙复相陶瓷可以用作低频下的高密度储能元件以及片式叠层陶瓷电容器,实现无源器件的小型化。附图说明图I (a)为1100°C -4h(1100°C下保温4小时)烧结条件下不同配比的CCTO复相陶瓷试样的XRD图;图I (b)为IlOO0C -4h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的电位梯度图;图I (c)为IlOO0C _4h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的介电常数图;图I (d)为IlOO0C _4h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的介电损耗图;图2 (a)为1100°C _20h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的电位梯度图;图2 (b)为1100°C -20h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的介电常数图;图2 (C)为1100°C -20h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的介电损耗图;图3 (a)为1100°C _4h烧结条件下6wt%氧化铝配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的能谱分析图;图3 (b)为不同烧结条件下8wt%氧化铝配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的SEM图; 图3 (C)为IlOO0C -20h烧结条件下不同配比的钛酸铜钙复相陶瓷试样的SEM图。具体实施例方式以下结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。实施例I : I)制备CCTO预烧粉体,步骤为将分析纯(纯度>99. 0%)的 CaCO3, CuO 以及 TiO2 粉末,按 CaCO3: CuO: TiO2=I: 3:4 的摩尔比加入球磨罐中(CaCO3粉末15. 20g、Cu0粉末36. 26g、Ti02粉末48. 53g,三种粉末共计约100g),然后向球磨罐中加入IOOml乙醇,然后将球磨罐置于行星式球磨机上球磨6h (频率为20Hz),球磨后于80°C烘干、过100目筛得粉体,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高电位梯度钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法,其特征在于:该钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法包括以下步骤:1)液相沉淀法制备均匀混合的粉体:以硝酸铝溶液为铝源滴定剂,氨水为沉淀剂,将铝源滴定剂以及沉淀剂滴入钛酸铜钙悬浮液中进行滴定反应,滴定反应中pH值控制在8?9,滴定反应后过滤,然后用蒸馏水洗涤过滤得到的滤渣,将洗涤后的滤渣烘干,烘干后研磨、过筛,然后于950℃保温4h得到均匀混合的粉体;2)传统固相法制备陶瓷试样:经过步骤1)后,将均匀混合的粉体通过造粒、压片、排胶后在空气中进行烧结,烧结的条件为:自室温升温至1080?1100℃后保温4?20h,保温后降温至室温,得到偏铝酸铜与钛酸铜钙的复相陶瓷试样。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李建英唐娴贾然李盛涛
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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