【技术实现步骤摘要】
MEMS麦克风及其制造方法
本专利技术涉及麦克风
，特别涉及一种MEMS麦克风及其制造方法。
技术介绍
目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-SystemMicrophone)，又称硅基电容麦克风，以下简称为MEMS麦克风。MEMS麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电声换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。目前MEMS麦克风多由硅基底以及位于基底上的感应振膜和刚性背板组成，刚性背板通常暴露在空气中，其上开设有声孔以接收外界的声音，感应振膜与刚性背板相对并相隔一定距离，感应振膜与刚性背板组成的平板电容，感应振膜与刚性背板分别作为该平板电容的两个电极，感应振膜在声波的作用下产生振动以改变其与刚性背板之间的距离，进而改变该平板电容的电容，以将声波信号转化为了电信号。目前的MEMS麦克风的刚性背板作为平板电容的一个电极，其通常包括多晶硅等导电材料制作，当该刚性背板暴露在空气中时，位于声孔侧壁上的导电材料甚至位于背板背向振膜的表面上的导电材料会直...
【技术保护点】
1.一种MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基底，在所述基底的表面上形成振膜材料层，并图形化所述振膜材料层以形成振膜；/n在所述振膜和所述振膜暴露出的基底的表面上依次形成第二介质层、第一隔离层和背板材料层，并图形化所述背板材料层和所述第一隔离层，以形成背板，且所述背板中形成有多个贯穿所述背板材料层和所述第一隔离层的声孔；/n在所述背板和所述声孔的表面上覆盖第二隔离层，并刻蚀去除各个所述声孔底部上的部分第二隔离层，剩余的第二隔离层覆盖所述背板的上表面、各个所述声孔的侧壁及各个所述声孔的部分底部上，且在每个所述声孔的底部处形成相对所述声孔的侧壁上的第二隔...
【技术特征摘要】
1.一种MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，在所述基底的表面上形成振膜材料层，并图形化所述振膜材料层以形成振膜；
在所述振膜和所述振膜暴露出的基底的表面上依次形成第二介质层、第一隔离层和背板材料层，并图形化所述背板材料层和所述第一隔离层，以形成背板，且所述背板中形成有多个贯穿所述背板材料层和所述第一隔离层的声孔；
在所述背板和所述声孔的表面上覆盖第二隔离层，并刻蚀去除各个所述声孔底部上的部分第二隔离层，剩余的第二隔离层覆盖所述背板的上表面、各个所述声孔的侧壁及各个所述声孔的部分底部上，且在每个所述声孔的底部处形成相对所述声孔的侧壁上的第二隔离层凸出的屋檐遮挡部；
经各个所述声孔去除部分或全部的所述第二介质层，以形成位于所述振膜和所述背板之间的空腔，并保留覆盖所述背板的上表面和各个所述声孔的侧壁上的第二隔离层。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述振膜材料层选自金属、未掺杂的多晶硅、掺杂的多晶硅、未掺杂的非晶硅和掺杂的非晶硅中的至少一种；所述背板材料层选自金属、未掺杂的多晶硅、掺杂的多晶硅、未掺杂的非晶硅和掺杂的非晶硅中的至少一种。
3.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成振膜材料层之前，先在所述基底的表面上形成第一介质层。
4.如权利要求1或3所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述第二介质层为将所述振膜掩埋在内并仅覆盖所述空腔区域的图形化结构，所述第一隔离层覆盖在所述第二介质层和所述第二介质层暴露出的所述基底的表面上，且在形成所述空腔时，经各个所述声孔去除全部的所述第二介质层；或者，所述第二介质层为覆盖所述振膜及所述振膜外围的基底上的膜层结构，所述第一隔离层覆盖在所述第二介质层上，且在形成所述空腔时，经各个所述声孔去除部分所述第二介质层，以使得所述空腔外围还剩余有部分第二介质层以用作支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅思宇，陆晓龙，刘国安，王宇，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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