【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
功率半导体器件在电力电子行业有着非常广泛的应用，是电子产品的基础元器件之一，在产业电子化升级过程中，越来越得到重视与应用。近年来，万物互联的呼声越来越高，以汽车、高铁为代表的交通工具，以光伏、风电为代表的新能源领域，以手机为代表的通信设备，以电视机、洗衣机、空调、冰箱为代表的消费级产品，都在不断提高电子化水平，其中又以新能源汽车的高度电子化最为引人注目，与此同时，工业、电网等传统行业也在加速电子化进程，几乎全行业的电子化发展，势必大大增加了对功率半导体器件的需求。高压器件是高压功率集成电路中常采用的功率半导体器件，为了满足耐高压需求，可以采用在栅极下埋入隔离结构即在漂移区采用沟槽隔离技术来增大高压器件的击穿电压。虽然这种方法可以提高高压器件的耐压程度，但是隔离结构的加入会加大导通电阻，使饱和电流减少，从而降低高压器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：/n衬底；/n源极，形成于所述衬底中的一侧；/n漏极，形成于所述衬底中相对于所述源极的另一侧；/n栅极，其形成于所述衬底表面；/n第一隔离结构，其位于所述栅极邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；/n第二隔离结构，其位于所述第一隔离结构邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中延伸至所述衬底中；/n所述第一隔离结构的深度与所述第一隔离结构的深度不相同。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：
衬底；
源极，形成于所述衬底中的一侧；
漏极，形成于所述衬底中相对于所述源极的另一侧；
栅极，其形成于所述衬底表面；
第一隔离结构，其位于所述栅极邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；
第二隔离结构，其位于所述第一隔离结构邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中延伸至所述衬底中；
所述第一隔离结构的深度与所述第一隔离结构的深度不相同。
2.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度。
3.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度。
4.根据权利要求2或3所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构与所述第二隔离结构之间存在一第一预设间距。
5.根据权利要求4所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一预设间距为0-0.12μm。
6.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张傲峰，李建财，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。