一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时，将一直工作在IGBT模式下，完全消除了由MOS模式过渡到IGBT模式而产生的电压折回现象；当器件工作在反向状态时，随着发射极电压升高，栅漏短接的NMOS开启，器件工作于反向并联的IGBT模式，实现器件的反向导通特性；综上，本发明专利技术RC‑LIGBT器件既能完全消除电压折回现象，又兼具高可集成度、低导通压降、小器件尺寸、能够快速关断等优点；同时，器件具有更高的电流密度，降低了器件的导通压降，改善了导通压降和关断损耗之间的折中关系。

A rc-ligbt device to eliminate voltage reversion

【技术实现步骤摘要】
一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件
本专利技术属于功率半导体
，具体提供一种具有低导通压降、小器件尺寸、良好开关速度，同时完全消除电压折回现象的RC-LIGBT器件。
技术介绍
电力电子系统的小型化、集成化是功率半导体器件的一个重要研究方向。智能功率集成电路(SmartPowerIntegratedCircuit，SPIC)或高压集成电路(HighVoltageIntegratedCircuit，HVIC)将保护、控制、检测、驱动等低压电路和高压功率器件集成在同一个芯片上，这样不仅缩小了系统体积，提高了系统可靠性；同时，在较高频率的工作场合，由于系统引线电感的减少，对于缓冲和保护电路而言，能够显著降低其要求。逆导型横向绝缘双极晶体管(ReverseConductingLateralInsulated-GateBipolarTransistor，RC-LIGBT)是SPIC或HVIC的核心功率器件之一，由于其具有的高可集成度，低导通压降等优点而被广泛应用。基于绝缘体上硅技术(SilicononInsulator，SOI)的R本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件，其元胞结构包括：/nP型衬底1，位于P型衬底1上的埋氧层区2，位于埋氧层上的N型半导体表面耐压区6，位于N型半导体表面耐压区6中的P型半导体基区3、第一栅极区、N型半导体缓冲区9与第二栅极区；其中，所述P型半导体基区3与第一栅极区相邻接，所述N型半导体缓冲区9被第二栅极区分割为两个子区；所述第一栅极区和第二栅极区均为立体槽栅区，第一栅极区由第一栅介质层8、填充于栅介质层中的第一多晶硅栅区7及覆盖于多晶硅栅区上的栅极金属17组成，第二栅极区由第二栅介质层15、填充于栅介质层中的第二多晶硅栅区14及覆盖于多晶硅栅区上的浮空短接金属19组成；/n所述P...

【技术特征摘要】
1.一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件，其元胞结构包括：
P型衬底1，位于P型衬底1上的埋氧层区2，位于埋氧层上的N型半导体表面耐压区6，位于N型半导体表面耐压区6中的P型半导体基区3、第一栅极区、N型半导体缓冲区9与第二栅极区；其中，所述P型半导体基区3与第一栅极区相邻接，所述N型半导体缓冲区9被第二栅极区分割为两个子区；所述第一栅极区和第二栅极区均为立体槽栅区，第一栅极区由第一栅介质层8、填充于栅介质层中的第一多晶硅栅区7及覆盖于多晶硅栅区上的栅极金属17组成，第二栅极区由第二栅介质层15、填充于栅介质层中的第二多晶硅栅区14及覆盖于多晶硅栅区上的浮空短接金属19组成；
所述P型半...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞丰，易波，蔺佳，赵青，黄东，孔谋夫，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51