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本发明属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时，将一直工作在IGBT模式下，完...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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