【技术实现步骤摘要】
一种超结结构的功率器件
本技术属于微电子
，尤其涉及超结结构的功率器件。
技术介绍
传统市场上的超结结构的功率器件包括位于半导体基板中心区的元胞区及围设位于元胞区外侧的终端保护区，元胞区包括多个规则排布在第一导电类型的第一漂移层中的元胞；在功率器件的纵向方向，半导体基板包括第一漂移层、位于第一漂移层下方的第一导电类型的第二漂移层、位于第二漂移层下方的第一导电类型的第三漂移层、位于第一导电类型的第三漂移层下方的第一导电类型的衬底，第二漂移层内包括多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱，多对第一半导体柱和第二半导体柱在第一导电类型的第二漂移层内交错设置，第一半导体柱在第二漂移层内向靠近衬底的方向延伸。由于仅多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱形成超结结构，无法在提高击穿电压的同时降低导通电阻，从而导致超结结构的功率器件及其所应用的系统可靠性差。传统的超结结构的功率器件存在仅多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱形成超结结构，无法在提高击穿电压的同时降低导...
【技术保护点】
1.一种超结结构的功率器件，包括位于半导体基板中心区的元胞区及围设位于所述元胞区外侧的终端保护区，所述元胞区包括多个规则排布在第一导电类型的第一漂移层中的元胞；在所述功率器件的纵向方向，所述半导体基板包括所述第一漂移层、位于所述第一漂移层下方的第一导电类型的第二漂移层、位于所述第二漂移层下方的第一导电类型的第三漂移层、位于所述第一导电类型的第三漂移层下方的第一导电类型的衬底，所述第二漂移层内包括多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱，多对所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在所述第一导电类型的第二漂移层内交错设置，所述第一半导体柱在所述第二漂移层内向靠近所...
【技术特征摘要】
1.一种超结结构的功率器件，包括位于半导体基板中心区的元胞区及围设位于所述元胞区外侧的终端保护区，所述元胞区包括多个规则排布在第一导电类型的第一漂移层中的元胞；在所述功率器件的纵向方向，所述半导体基板包括所述第一漂移层、位于所述第一漂移层下方的第一导电类型的第二漂移层、位于所述第二漂移层下方的第一导电类型的第三漂移层、位于所述第一导电类型的第三漂移层下方的第一导电类型的衬底，所述第二漂移层内包括多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱，多对所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在所述第一导电类型的第二漂移层内交错设置，所述第一半导体柱在所述第二漂移层内向靠近所述衬底的方向延伸；其特征在于，在所...
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