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本实用新型属于微电子技术领域，公开了一种超结结构的功率器件，在功率器件的纵向方向，半导体基板自上往下依次包括第一漂移层、第二漂移层、第三漂移层、衬底；第二漂移层内包括多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱，多对第一半导体...
该专利属于曾爱平所有，仅供学习研究参考，未经过曾爱平授权不得商用。

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