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本发明公开一种半导体器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明的半导体器件包括：衬底；源极，形成于所述衬底中的一侧；漏极，形成于所述衬底中相对于所述源极的另一侧；栅极，其形成于所述衬底表面；第一隔离结构，其位于所述栅极邻近所述漏极的一侧...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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