【技术实现步骤摘要】
经能量过滤冷电子装置及方法本申请为申请日是2015年2月3日、申请号是201580019096.9(PCT/US2015/014258)、专利技术名称为“经能量过滤冷电子装置及方法”的中国申请的分案申请。专利
本专利技术一般涉及电子领域,并且更具体地,涉及用于超低功率耗散电子器件的电子装置和方法。
技术介绍
在有限温度下,固体中的电子根据费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布受到热激发。这种电子热激发使得各种电子系统中的许多新颖且在技术上重要的现象变模糊或无效。例如,这可消除单电子系统[1,2]中的库伦阻塞(Coulombblockade),并且使电子自旋系统[3,4]中的自旋阀的效率变差。电子热激发还可使更主流电子装置的性能显著降级。例如,这是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中过度功率耗散的根本原因;电子热激发防止电流的陡然接通/截止,从而将亚阈值摆幅限制到室温下约60mV/十进位(decade),进而造成过度功率耗散[5-7]。这些仅是一些实例,但电子电激发的负效应总体上在固态电子系统中盛行。因此,如果存在可能实现对电子电激发的操纵的方法,将预期广泛范围的科学和技术效益。其他人先前进行的研究已经证明:通过利用量子点中存在的离散能级有可能抑制电子热激发并且获得低电子温度。如果使得电子传递通过离散能级发生,它可用作能量过滤器(或热过滤器),因为仅能量匹配离散能级的那些电子得以允许参与传递。这已经使用双量子点系统在实验上得到证明,在双量子点系统中,邻近源电极的第一量子点用作能量过滤器,从 ...
【技术保护点】
1.一种注射电子或空穴的装置部件,其包括:/n电极;/n量子阱,其邻近所述电极设置,其中所述量子阱的能级间距为至少250meV或更大;以及/n隧穿势垒,其邻近所述量子阱设置。/n
【技术特征摘要】
20140204 US 61/935,493;20140802 US 62/032,5541.一种注射电子或空穴的装置部件,其包括:
电极;
量子阱,其邻近所述电极设置,其中所述量子阱的能级间距为至少250meV或更大;以及
隧穿势垒,其邻近所述量子阱设置。
2.如权利要求1所述的装置部件,所述装置部件在室温下在不进行任何外部冷却的情况下实现抑制电子热激发。
3.如权利要求2所述的装置部件,所述装置部件中与受所述费米-狄拉克分布支配的通常的电子能量扩散相比,在室温下抑制电子热激发使电子能量分布的扩散减缓至少6.5倍。
4.如权利要求2所述的装置部件,所述装置部件中所述受抑制电子热激发在室温下在不进行任何外部冷却的情况下将所述有效电子温度降低到45开尔文或低于45开尔文。
5.如权利要求1所述的装置部件,所述装置部件中所述量子阱通过所述量子阱材料的导带或价带的能带弯曲形成。
6.如权利要求5所述的装置部件,所述装置部件中所述界面偶极子和/或界面电荷的自发形成被利用来引起所述能带弯曲并产生所述量子阱。
7.如权利要求6所述的装置部件,所述装置部件中所述量子阱中的所述能带弯曲为1eV或更大。
8.如权利要求5所述的装置部件,所述装置部件中所述能带弯曲和所述量子阱形成通过用UV-臭氧、等离子体处理所述量子阱材料的表面/界面、或通过自组装单层的形成、或通过其组合来进行。
9.如权利要求8所述的装置部件,所述装置部件中所述量子阱中的所述能带弯曲为1eV或更大。
10.如权利要求1所述的装置部件,所述装置部件中所述量子阱的厚度被制成是薄的,从亚纳米到数纳米,以便制成所述量子阱的至少250meV或更大的能级间隔。
11.如权利要求10所述的装置部件,所述装置部件中所述薄量子阱通过金属的天然氧化物的自发形成制成,并且所述天然氧化物用作所述量子阱材料。
12.如权利要求11所述的装置部件,所述装置部件中所述天然氧化物量子阱材料选自包括以下各项的组:Cr2O3、Al2O3和TiOx。
13.如权利要求10所述的装置部件,所述装置部件中所述薄量子阱通过沉积材料来制成。
14.如权利要求13所述的装置部件,所述装置部件中所述沉积的量子阱材料选自包括以下各项的组:Cr2O3、Al2O3和TiOx。
15.如权利要求13所述的装置部件,所述装置部件中所述沉积的量子阱材料选自包括以下各项的组:GaAs、AlxGa1-xAs、AlxIn1-xAs、InxGa1-xAs、InxGa1-xP、GaN、GaP、InP、InN、InAs、CdSe和ZnSe。
16.一种注射电子或空穴的装置部件,其包括:
电极;
量子点,其邻近所述电极设置,其中所述量子点的能级间距为至少250meV或更大;以及
隧穿势垒,其邻近所述量子点设置。
17.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件在室温下在不进行任何外部冷却的情况下实现抑制电子热激发。
18.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中与受所述费米-狄拉克分布支配的通常的电子能量扩散相比,在室温下抑制电子热激发使电子能量分布的扩散减缓至少6.5倍。
19.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中所述受抑制电子热激发在室温下在不进行任何外部冷却的情况下将所述有效电子温度降低到45开尔文或低于45开尔文。
20.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中所述量子点通过减小所述量子阱的面积来形成。
21.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中半导体纳米颗粒用作所述量子点。
22.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中所述量子点材料选自包括以下各项的组:Cr2O3、Al2O3和TiOx。
23.如权利要求16所述的装置部件,所述装置部件中所述量子点材料选自包括以下各项的组:GaAs、AlxGa1-xAs、AlxIn1-xAs、InxGa1-xAs、InxGa1-xP、GaN、GaP、InP、InN、InA...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·J·谷,P·巴德拉恰拉姆,LC·马,
申请(专利权)人:德克萨斯大学系统董事会,
类型:发明
国别省市:美国;US
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