半导体器件制备方法技术

本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供包括原胞区和非原胞区的半导体衬底，在非原胞区的半导体衬底上依次形成隔离介质层和具有第一导电类型掺杂的半导体层；以半导体层和隔离介质层为掩膜进行第一导电类型阱注入，在原胞区形成阱区；在阱区内形成工作结构，在半导体层内形成保护结构；在工作结构和保护结构上形成层间介质层，并在层间介质层内形成接触孔，在层间介质层上形成与接触孔连接的金属互连层，通过金属互连层和接触孔连接工作结构和保护结构。通过利用半导体层和隔离介质层作为掩膜进行自对准阱注入，可以降低保护结构的厚度，从而增加保护结构上方层间介质层的厚度，增强保护结构上方层间介质层的隔离作用。

Semiconductor device preparation method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件制备方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法。
技术介绍
半导体器件通常包括工作结构和对工作结构进行保护的保护结构，如金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，以下简称MOS管)在生产、组装、测试或搬运过程中都可能生成静电，当静电电压较高时，会损坏MOS管，因此通常增加二极管作为静电保护结构与MOS管并联以保护MOS管。在半导体器件的具体的制备工艺中，通常是在半导体衬底的非原胞区域形成场氧，以场氧为掩膜对半导体衬底进行自对准阱注入以在原胞区形成阱区，并在场氧上淀积半导体层，对半导体层进行掺杂而在非原胞区上形成保护结构，以及在阱区进行掺杂而在原胞区内形成工作结构，接着淀积一层层间介质层并在层间介质层中形成接触孔以引出电极。为实现自对准掩膜阱注入，场氧需达到一定的厚度，设为h1，而淀积在场氧上的半导体层也具有一定的厚度，设为h2，即在半导体衬底上，非原胞区上的保护结构的表面比原胞区内的工作结构的表面高h1+h2，而层间介质层的上表面是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件制备方法，所述半导体器件包括工作结构和对所述工作结构进行保护的保护结构，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括原胞区和非原胞区，在所述非原胞区的半导体衬底上形成隔离介质层，在所述隔离介质层上形成具有第一导电类型掺杂的半导体层；/n以所述半导体层和所述隔离介质层为掩膜对所述半导体衬底进行第一导电类型阱注入，在所述原胞区的半导体衬底内形成阱区；/n对所述阱区进行掺杂以在所述原胞区内形成所述工作结构，对所述半导体层进行掺杂以在所述非原胞区上形成所述保护结构；/n在所述工作结构和所述保护结构上形成层间介质层，并在所述层间介质层内形成接触孔，在所述层间介质...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制备方法，所述半导体器件包括工作结构和对所述工作结构进行保护的保护结构，其特征在于，所述制备方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括原胞区和非原胞区，在所述非原胞区的半导体衬底上形成隔离介质层，在所述隔离介质层上形成具有第一导电类型掺杂的半导体层；
以所述半导体层和所述隔离介质层为掩膜对所述半导体衬底进行第一导电类型阱注入，在所述原胞区的半导体衬底内形成阱区；
对所述阱区进行掺杂以在所述原胞区内形成所述工作结构，对所述半导体层进行掺杂以在所述非原胞区上形成所述保护结构；
在所述工作结构和所述保护结构上形成层间介质层，并在所述层间介质层内形成接触孔，在所述层间介质层上形成与所述接触孔连接的金属互连层，通过所述金属互连层和所述接触孔连接所述工作结构和所述保护结构。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层的第一导电类型掺杂的剂量比所述半导体衬底的第一导电类型阱注入的剂量至少大一个数量级。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离介质层的厚度范围为至


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离介质层为氧化硅层。


5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层为第一导电类型多晶硅层。


6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原胞区位于所述半导体衬底的中间位置，非原胞区位于所述半导体衬底的外围且包围所述原胞区。


7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工作结构为VDMOS管，在对所述原胞区的半导体衬底进行第一导电类型阱注入的步骤之前，还包括：
在所述原胞区形成沟槽，在所述沟槽内壁形成栅氧层并在所述沟槽内填充多晶硅栅。


8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述保护结构为二极管，所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32