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本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供包括原胞区和非原胞区的半导体衬底，在非原胞区的半导体衬底上依次形成隔离介质层和具有第一导电类型掺杂的半导体层；以半导体层和隔离介质层为掩膜进行第一导电类型阱注入，在原胞区形成阱区；在阱区内形成工作...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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