【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着碳化硅工艺技术的不断成熟以及成本的不断下降，碳化硅功率器件在新一代电力电子器件应用中越来越重要。碳化硅作为宽禁带半导体，有着禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和速度高等特点。与传统的硅器件相比，具有更高的工作温度、更高的功率密度、同时开关损耗更低。在碳化硅器件的设计中，不仅仅需要关注碳化硅器件在阻断条件下体内电场强度不能超过临界击穿电场，还需要对栅极氧化层中的电场强度进行严格限制。碳化硅器件目前常采用成本较低的热氧化方法形成栅极氧化层，存在着氧化层界面态电荷高和栅极氧化层的厚度均匀性不好等问题，再加上栅极氧化层中过高的电场，使得栅极氧化层的可靠性很难保证，进而导致碳化硅器件可靠性降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种功率器件及制备方法，以解决现有技术中碳化硅功率器件可靠性低的问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型半导...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一导电类型半导体层；/n第二导电类型体区，设置在所述半导体层中，所述体区的上表面高于所述半导体层的上表面；/n第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在所述体区中；/n栅极绝缘层，设置在所述体区上且至少部分覆盖所述第一导电类型注入区；/n栅极，设置在所述栅极绝缘层上。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型体区，设置在所述半导体层中，所述体区的上表面高于所述半导体层的上表面；
第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在所述体区中；
栅极绝缘层，设置在所述体区上且至少部分覆盖所述第一导电类型注入区；
栅极，设置在所述栅极绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极绝缘层延伸以至少部分覆盖所述半导体层的上表面，所述栅极还形成在覆盖所述体区侧壁的栅极绝缘层上。
3.根据权利要求1或2任一所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
源极，设置在所述第一导电类型注入区和所述第二导电类型注入区上且部分覆盖所述第一导电类型注入区。
4.根据权利要求1－3中任一所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
漏极，设置在所述半导体层的另一侧上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
衬底，形成在所述半导体层与所述漏极之间。
6.根据权利要求1－5中任一所述的半导体器件，其特征在于，所述体区为多个，多个所述体区间隔设置。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在相邻的两个所述体区中，所述第二导电类型注入区分别设置在所述体区的最外侧，所述第一导电类型注入区分别设置在所述第二导电类型注入区的内侧且相互远离设置。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖相邻的两个所述体区上的所述栅极。
9.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：
形成第一导电类型半导体层；
在所述第一导电类型半导体层中形成第二导电类型体区，并在所述第二导电类型体区中形成相邻设置的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆同，何昌，史波，曾丹，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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