薄膜晶体管、显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子显示技术领域,公开了一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法、显示装置,该薄膜晶体管包括衬底基板、栅极金属、栅极、有源层；位于有源层背离衬底基板一侧、第一金属氧化物和第二金属氧化物；先给予栅极一个较高的电压，第一金属氧化物和第二金属氧化物相变为导电状态，沟道长度减小，且减小了源漏极层整体的电阻，由漏极端流出的电流变大，提高了薄膜晶体管的性能。且相变过程中第一金属和第二金属会吸收因对栅极施加的高电压而产生的热量，对热量进行了再利用。再给予栅极一个较小的电压，薄膜晶体管达到相变发生前的光源或显示的响应亮度。此时线路的电流负载降低，提高了薄膜晶体管使用寿命的同时，还起到了节能的作用。

Thin film transistor, display panel, preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及电子显示的
，尤其是涉及一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在显示、光源以及电子领域，器件都存在着高能耗的问题；且由于器件或产品本身容易发热，促使了器件的老化速率过快，降低其使用寿命。因此，降低器件及产品的能耗，延长其使用寿命成为现代社会显示、光源电子产品开发的主流方向之一。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法、显示装置，上述薄膜晶体管提高了薄膜晶体管的性能、对生成的无用的热量进行了再利用、提高了薄膜晶体管使用寿命、且起到了节能的作用。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种薄膜晶体管，包括衬底基板、位于衬底基板一侧的栅极金属、位于栅极金属背离衬底基板一侧的栅极绝缘层，还包括：位于栅极绝缘层背离衬底基板一侧的有源层；位于有源层背离衬底基板一侧、且同层设置的第一金属氧化物和第二金属氧化物，第一金属氧化物设置有第一过孔，第二金属氧化物设置有第二过孔；位于第一金属氧化物和第二金属氧化物背离衬底基板一侧、且同层设置的源极金属和漏极金属；源极金属与第一金属氧化物连接、且通过第一过孔与有源层连接；漏极金属与第二金属氧化物连接、且通过第二过孔与有源层连接；第一金属氧化物和第二金属氧化物能够在温度上升至预定值时由绝缘状态相变为导电状态。本专利技术提供的薄膜晶体管，在薄膜晶体管的温度小于预定值时，第一金属氧化物和第二金属氧化物均处于绝缘状态，此时薄膜晶体管的沟道长度为：第一金属氧化物与有源层接触的部位靠近第二金属氧化物的一侧，到第二金属氧化物与有源层接触的部位靠近第一金属氧化物的一侧之间的距离。工作时，先给予栅极一个较高的电压，直到薄膜晶体管的温度上升至预定值时，第一金属氧化物和第二金属氧化物均发生晶格相变，由绝缘状态相变为导电状态，则此时源极金属和第一金属氧化物共同构成薄膜晶体管的源极结构，漏极金属和第二金属氧化物共同构成薄膜晶体管的漏极结构，因此，此时薄膜晶体管的沟道长度为：第一金属氧化物靠近第二金属氧化物的一端到第二金属氧化物靠近第一金属氧化物的一端之间的距离。然后再给予栅极一个较小的电压，以令薄膜晶体管达到相变发生前的光源或显示的响应亮度。这种设置方式，由于当温度上升至预定值时，第一金属氧化物和第二金属氧化物均由绝缘状态相变为导电状态，且源漏金属层下端对应薄膜晶体管走线区域的部分均设置有第一金属氧化物和第二金属氧化物，因此，薄膜晶体管的沟道长度减小，且减小了源漏极层整体的电阻，由漏极端流出的电流变大，提高了薄膜晶体管的性能。另外，相变过程中第一金属和第二金属会吸收因对栅极施加的高电压而产生的热量，对生成的无用的热量进行了再利用，且最终给予栅极一个较小的电压，薄膜晶体管还是会恢复到相变发生前的光源或显示的响应亮度，此时线路的电流负载降低，提高了薄膜晶体管使用寿命的同时，还起到了节能的作用。优选地，第一金属氧化物和第二金属氧化物材质均为二氧化钒；预定值为68℃。优选地，第一金属氧化物和第二金属氧化物均可掺杂稀有金属。一种显示面板，包括上述任一种的薄膜晶体管，显示面板还包括：位于源极金属和漏极金属背离衬底基板一侧的钝化层；位于钝化层背离衬底基板一侧的有机膜层。优选地，显示面板还包括位于有机膜层背离衬底基板一侧的阳极金属层；钝化层设置有第三过孔，有机膜层设置有第四过孔，第三过孔与第四过孔连通，且阳极金属层通过第三过孔和第四过孔与漏极金属连接。优选地，显示面板还包括：位于阳极金属层背离衬底基板一侧的阴极金属层；位于阳极金属层与阴极金属层之间的发光层。一种显示装置，包括上述任一种的显示面板。一种应用于上述任一种的显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供衬底基板，在衬底基板上依层制备栅极金属、栅极绝缘层、有源层以及金属氧化物层；对金属氧化物层刻蚀图案化以形成第一过孔和第二过孔；在金属氧化物层背离衬底基板的一侧制备源漏金属层，并通过构图工艺形成源极金属图形以及漏级金属图形，其中，源极金属图形通过第一过孔与有源层连接，漏极金属图形通过第二过孔与有源层连接，金属氧化物层位于第一过孔和第二过孔之间的部位露出；对金属氧化物层的露出部分刻蚀图案化，以将其分隔为第一金属氧化物和第二金属氧化物，其中，第一过孔位于第一金属氧化物，第二过孔位于第二金属氧化物；在第一金属氧化物和第二金属氧化物背离衬底基板的一侧依层制备钝化层、有机膜层和阳极金属层，其中，钝化层设置有第三过孔，有机膜层设置有第四过孔，第三过孔与第四过孔连通，阳极金属层通过第三过孔和第四过孔与漏极金属连接；在阳极金属层背离衬底基板一侧依层制备发光层和阴极金属层；对栅极金属施加电压，以获得能够发光的显示面板。附图说明图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；图4-图10为本专利技术实施例提供的显示面板的制备方法对应的各步骤的结构示意图。图标：1-衬底基板；2-栅极金属；3-栅极绝缘层；4-有源层；5-第一金属氧化物；6-第二金属氧化物；7-第一过孔；8-第二过孔；9-源极金属；10-漏极金属；11-钝化层；12-有机膜层；13-阳极金属层；14-阴极金属层；15-发光层；16-金属氧化物层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括衬底基板1、位于衬底基板1一侧的栅极金属2、位于栅极金属2背离衬底基板1一侧的栅极绝缘层3，还包括：位于栅极绝缘层3背离衬底基板1一侧的有源层4；位于有源层4背离衬底基板1一侧、且同层设置的第一金属氧化物5和第二金属氧化物6，第一金属氧化物5设置有第一过孔7，第二金属氧化物6设置有第二过孔8；位于第一金属氧化物5和第二金属氧化物6背离衬底基板1一侧、且同层设置的源极金属9和漏极金属10；源极金属9与第一金属氧化物5连接、且通过第一过孔7与有源层4连接；漏极金属10与第二金属氧化物6连接、且通过第二过孔8与有源层4连接；第一金属氧化物5和第二金属氧化物6能够在温度上升至预定值时由绝缘状态相变为导电状态。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，在薄膜晶体管的温度小于预定值时，第一金属氧化物5和第二金属氧化物6均处于绝缘状态，此时薄膜晶体管的沟道长度为：第一金属氧化物5与有源层4接触的部位靠近第二金属氧化物6的一侧，到第二金属氧化物6与有源层4接触的部位靠近第一金属氧化物5的一侧之间的距离(即图1所示的L1)。工作时，先给予栅极一个较高的电压，直到薄膜晶体管的温度上升至预定值时，第一金属氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、位于衬底基板一侧的栅极金属、位于所述栅极金属背离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层，其特征在于，还包括：/n位于所述栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧的有源层；/n位于所述有源层背离所述衬底基板一侧、且同层设置的第一金属氧化物和第二金属氧化物，所述第一金属氧化物设置有第一过孔，所述第二金属氧化物设置有第二过孔；/n位于所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物背离所述衬底基板一侧、且同层设置的源极金属和漏极金属；所述源极金属与所述第一金属氧化物连接、且通过所述第一过孔与所述有源层连接；所述漏极金属与所述第二金属氧化物连接、且通过所述第二过孔与所述有源层连接；所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物能够在温度上升至预定值时由绝缘状态相变为导电状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、位于衬底基板一侧的栅极金属、位于所述栅极金属背离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层，其特征在于，还包括：
位于所述栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧的有源层；
位于所述有源层背离所述衬底基板一侧、且同层设置的第一金属氧化物和第二金属氧化物，所述第一金属氧化物设置有第一过孔，所述第二金属氧化物设置有第二过孔；
位于所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物背离所述衬底基板一侧、且同层设置的源极金属和漏极金属；所述源极金属与所述第一金属氧化物连接、且通过所述第一过孔与所述有源层连接；所述漏极金属与所述第二金属氧化物连接、且通过所述第二过孔与所述有源层连接；所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物能够在温度上升至预定值时由绝缘状态相变为导电状态。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物材质均为二氧化钒；
所述预定值为68℃。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物均可掺杂稀有金属。


4.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，所述显示面板还包括：
位于所述源极金属和漏极金属背离所述衬底基板一侧的钝化层；
位于所述钝化层背离所述衬底基板一侧的有机膜层。


5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述有机膜层背离所述衬底基板一侧的阳极金属层；
所述钝化层设置有第三过孔，所述有机膜层设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆贺，苏同上，黄勇潮，胡迎宾，张扬，王海涛，刘宁，李广耀，王政，季雨，胡金良，宋威，成军，闫梁臣，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34