【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及电子器件
，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是液晶显示器中用来控制每个像素亮度的基本电路组件，随着科技的发展，多晶硅结构可在低温环境下利用激光热退火的工艺来形成，薄膜晶体管的制造由早期的非晶硅结构演进到低温多晶硅结构，这种结构工艺的变化大幅改善了薄膜晶体管的电性，也克服了玻璃基板不能耐高温的问题，使薄膜晶体管可直接于玻璃基板上形成。阈值电压是薄膜晶体管的重要参数，直接影响薄膜晶体管的器件性能。现有技术中通常通过准确控制有源层的高导化处理过程的各个参数控制有源层的导电率，进而实现阈值电压的调节，但上述过程需要经过复杂的计算以获得高导化处理过程中的各个参数，且对高导化处理过程的精确度要求较高，导致阈值电压的调节难度较大。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置，以降低薄膜晶体管阈值电压的调节的难度。...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板上的图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区，所述中间区包括沟道区和轻掺杂区，所述轻掺杂区包括分别设置于所述沟道区相对两侧的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区靠近所述源极区设置，所述第二轻掺杂区靠近所述漏极区设置；/n位于所述有源层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述中间区；/n位于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合；/n位于所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上的...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区，所述中间区包括沟道区和轻掺杂区，所述轻掺杂区包括分别设置于所述沟道区相对两侧的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区靠近所述源极区设置，所述第二轻掺杂区靠近所述漏极区设置；
位于所述有源层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述中间区；
位于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合；
位于所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的长度取值范围为0.5～10.0um。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度取值范围为150nm～500nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化钽以及氧化锆中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的长度取值范围均为0.1～1.5um。
6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的显示基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，用于制备权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括：
提供所述衬底基板；
在所述衬底基板上形成依次层叠的图形化的所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极；
采用PECVD工艺在所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上形成第一绝缘层，同时以所述栅极绝缘层以及所述栅极为掩膜介质，利用PECVD工艺中前驱气体分解出的氢离子对所述有源层进行高导...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，李民，徐华，周雷，李洪濛，王磊，邹建华，陶洪，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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