一种半导体功率器件结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体功率器件结构，包括半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型的外延层，外延层的表面为第一主面，半导体基板的下部为第一导电类型的衬底；第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区、以及位于第一掺杂区表面被第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区，相邻第一掺杂区之间的第一主面上设置有栅氧化层，栅氧化层上设置有栅极区，栅极区为浮栅结构。本发明专利技术能够降低等效阈值电压Vth，以便显著降低器件的正向电压Vf；通过设置栅氧化层‑电荷储存介质层‑阻挡氧化层的多层结构，增加了寄生电容的介质厚度，从而显著降低了寄生电容，有效提高了器件的开关速度。

A semiconductor power device structure

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件结构
本专利技术涉及半导体
，具体为一种半导体功率器件结构。
技术介绍
基于肖特基势垒理论的肖特基势垒二极管(Schottkybarrierdiodes，SBD)广泛应用于高频整流和开关电路及保护电路在低压、大电流场合时作续流和整流作用，如DC/DC变频器、无工频变压器、开关电源的整流和续流。作为一种低压整流器件，它具有提高电路的整流效率、降低正向功耗、提高工作频率以及减小电路噪声的作用。但也有其局限性比如耐高温性差、软击穿严重以及反向漏电流大，使其在高压领域不能得以广泛的应用。其正向压降和反向漏电也是一对关联的很难调和的参数。为了提高整流器的性能，相关公司相继推出了新的器件，比如TMBS(TrenchMOSBarrierSchottkyDiode)、SBR(SurperBarrierRectifier)、SiC、GaN等，并且取得了不错的业绩和可观的市场回报。但都每个器件平台都有一些相应的局限性比如材料，器件结构，工艺生产性，成本控制等等。图1示出了现有技术中的超势垒整流器SBR的器件剖视图，其具有如下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体功率器件结构，包括半导体基板，所述半导体基板的上部为第一导电类型的外延层，所述外延层的表面为第一主面，所述半导体基板的下部为第一导电类型的衬底；所述第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区、以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区，相邻所述第一掺杂区之间的第一主面上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上设置有栅极区；其特征在于：所述栅极区为浮栅结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件结构，包括半导体基板，所述半导体基板的上部为第一导电类型的外延层，所述外延层的表面为第一主面，所述半导体基板的下部为第一导电类型的衬底；所述第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区、以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区，相邻所述第一掺杂区之间的第一主面上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上设置有栅极区；其特征在于：所述栅极区为浮栅结构。


2.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述浮栅结构包括位于所述栅氧化层上方的电荷储存介质层、以及位于所述电荷储存介质层上方的阻挡氧化层。


3.根据权利要求2所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述电荷储存介质层为绝缘层。


4.根据权利要求3所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈则瑞，黄健，孙闫涛，顾昀浦，宋跃桦，吴平丽，樊君，张丽娜，
申请(专利权)人：捷捷微电上海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31