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本发明公开了一种半导体功率器件结构，包括半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型的外延层，外延层的表面为第一主面，半导体基板的下部为第一导电类型的衬底；第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区、以及位于第一掺杂区表面被第一掺杂区侧面包围的...
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