动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统制造方法及图纸

提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及具有感测放大器的感测放大块，感测放大器被配置为将第一位线和第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一或第二感测电源电压，将第一或第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，将感测接地电压施加到存储器单元阵列。

Dynamic semiconductor memory device and its memory system

【技术实现步骤摘要】
动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统本申请要求于2018年12月3日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0153800号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
与本专利技术构思一致的装置和系统涉及一种动态半导体存储器装置及一种包括其的存储器系统。
技术介绍
动态半导体存储器装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)包括多个动态存储器单元，并且多个动态存储器单元中的每个可以包括一个晶体管和一个电容器。累积在动态半导体存储器装置的多个动态存储器单元的电容器中的电荷会泄露，因此，可以周期性地执行刷新操作以刷新在多个动态存储器单元的电容器中累积的电荷。随着动态半导体存储器装置的温度升高，累积在多个动态存储器单元的电容器中的电荷会更快地泄露。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例旨在提供一种动态半导体存储器装置以及一种包括该动态半导体存储器装置的存储器系统，所述动态半导体存储器装置被配置为随着动态半导体存储器装置的温度升高而补偿从动态半导体存储器装置的多个动态存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置包括：/n存储器单元阵列，包括：第一存储器单元阵列块，包括连接在多条第一字线与多条第一位线之间的多个第一动态存储器单元；第二存储器单元阵列块，包括连接在多条第二字线与多条第二位线之间的多个第二动态存储器单元；及感测放大块，包括多个感测放大器，所述多个感测放大器被配置为在感测放大操作期间将多条第一位线的电压和多条第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的至少一个第二感测电源电压；/n温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及/n电压生成器，被配置为：响应于温度感测信号生成第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电...

【技术特征摘要】
20181203 KR 10-2018-01538001.一种动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置包括：
存储器单元阵列，包括：第一存储器单元阵列块，包括连接在多条第一字线与多条第一位线之间的多个第一动态存储器单元；第二存储器单元阵列块，包括连接在多条第二字线与多条第二位线之间的多个第二动态存储器单元；及感测放大块，包括多个感测放大器，所述多个感测放大器被配置为在感测放大操作期间将多条第一位线的电压和多条第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的至少一个第二感测电源电压；
温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及
电压生成器，被配置为：响应于温度感测信号生成第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压，并且将第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，以及将感测接地电压施加到存储器单元阵列。


2.根据权利要求1所述的动态半导体存储器装置，其中，温度传感器单元还被配置为在温度不超过特定温度时生成具有第一状态的温度感测信号，并且在温度超过特定温度时生成具有与第一状态不同的至少一种第二状态的温度感测信号；并且
电压生成器还被配置为响应于具有第一状态的温度感测信号生成第一感测电源电压，以及响应于具有所述至少一种第二状态的温度感测信号生成所述至少一个第二感测电源电压。


3.根据权利要求2所述的动态半导体存储器装置，其中，温度传感器单元包括：
温度传感器，被配置为感测温度并生成温度信号；
模数转换器，被配置为接收温度信号并将温度信号从模拟信号转换为数字信号；以及
温度感测信号生成器，被配置为接收数字信号并响应于数字信号生成温度感测信号。


4.根据权利要求3所述的动态半导体存储器装置，其中，电压生成器包括：
参考电压生成器，被配置为接收外部电源电压，并且生成第一参考电压和比第一参考电压高的至少一个第二参考电压；
开关，被配置为响应于温度感测信号使第一参考电压或所述至少一个第二参考电压生成为参考电压；
比较器，被配置为将参考电压与第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压进行比较，并且在第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压低于参考电压时生成驱动信号；以及
驱动器，被配置为响应于驱动信号来驱动第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压。


5.根据权利要求1所述的动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置还包括：
命令解码器和地址生成器，被配置为从动态半导体存储器装置外部的源接收命令和地址，通过对包括在命令和地址中的命令信号进行解码来生成模式设定命令，并从包括在命令和地址中的地址信号生成模式设定代码；以及
模式设定寄存器，被配置为响应于模式设定代码生成温度传感器使能信号，并且
其中，温度传感器单元被进一步配置为响应于温度传感器使能信号来感测温度并生成温度感测信号。


6.根据权利要求1所述的动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置还包括：命令解码器和地址生成器，被配置为从动态半导体存储器装置外部的源接收命令和地址，并且通过对包括在命令和地址中的命令信号进行解码来生成刷新命令、写入命令或读取命令；并且
其中，温度传感器单元被进一步配置为响应于刷新命令、写入命令或读取命令来感测温度并生成温度感测信号。


7.根据权利要求6所述的动态半导体存储器装置，其中，感测放大块还包括：
预充电电路，被配置为在预充电操作期间对所述多条第一位线和所述多条第二位线进行预充电，并且
其中，所述多个感测放大器中的每个感测放大器连接在所述多条第一位线中的对应的一条第一位线与所述多条第二位线中的对应的一条第二位线之间，并且被配置为当在响应于刷新命令、写入命令或读取命令执行的感测放大操作期间选择所述多条第一字线和所述多条第二字线中的至少一条字线时，将所述多条第一位线中的所述对应的一条第一位线的电压和所述多条第二位线中的所述对应的一条第二位线的电压放大至第一感测电源电压或至所述少一个第二感测电源电压。


8.一种动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置包括：
存储器单元阵列，包括：多个动态存储器单元，连接在多条字线与多条位线之间；及多个感测放大器，被配置为放大所述多条位线的电压；
温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及
电压生成器，被配置为：响应于温度感测信号生成第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的至少一个第二感测电源电压，并且将第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，以及将感测接地电压施加到存储器单元阵列，
其中，所述多个感测放大器还被配置为在感测放大操作期间将与连接到从所述多条字线中选择的至少一条字线的动态存储器单元对应的位线的电压放大至第一感测电源电压或所述至少一个第二感测电源电压。


9.根据权利要求8所述的动态半导体存储器装置，其中，温度传感器单元还被配置为在温度不超过特定温度时生成具有第一状态的温度感测信号，并且在温度超过特定温度时生成具有与第一状态不同的至少一种第二状态的温度感测信号；并且
电压生成器还...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋喆焕，金光贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR