【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于刷新存储器的设备及方法
技术介绍
高数据可靠性、高速存储器存取及减小的芯片大小是半导体存储器所需的特征。作为典型的半导体存储器装置的动态随机存取存储器(DRAM)通过单元电容器中积累的电荷存储信息，因此除非周期性地执行刷新操作，否则信息丢失。由于行锤击效应及/或Ras-Clobber效应，信息可能由于位差错而进一步丢失。在任何一种情况下，此种位差错可在各自耦合到未选定字线的一或多个存储器单元上发生，所述未选定字线邻近于经受行锤击(指示选定字线连续多次被驱动到作用电平)或Ras-Clobber(指示选定字线在相当长的时间段内连续被驱动到作用电平)的选定字线。因此，在丢失存储于其中的信息之前，需要刷新耦合到此种未选定字线的存储器单元。另一方面，从控制DRAM的控制装置，例如存储器控制器周期性地发布指示刷新操作的自动刷新(AREF)命令。以所有字线在一个刷新循环(例如，64毫秒)中当然刷新一次的频率从控制装置提供AREF命令。然而，根据AREF命令的刷新地址由DRAM中提供的刷新计数器确定。出于这个原因，响应于AREF命令的刷新操作可能无法...
【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n多个存储器存储体；及/n采样时序产生器电路，其经配置以提供对行地址进行采样的时序信号，其中所述时序信号经配置以传输至少一个脉冲，/n其中所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体包含：/n存储器阵列；及/n锁存电路，其经配置以响应于所述时序信号上的至少一个脉冲及至少一个预充电命令而锁存用于窃取刷新的所述存储器阵列的存取地址，/n其中所述采样时序产生器电路经配置以至少部分地响应于振荡信号及命令状态信号而随机提供所述至少一个脉冲，及/n其中所述命令状态信号经配置以在正存取所述存储器阵列时设定成作用电平。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171020 US 15/789,8971.一种设备，包括：
多个存储器存储体；及
采样时序产生器电路，其经配置以提供对行地址进行采样的时序信号，其中所述时序信号经配置以传输至少一个脉冲，
其中所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体包含：
存储器阵列；及
锁存电路，其经配置以响应于所述时序信号上的至少一个脉冲及至少一个预充电命令而锁存用于窃取刷新的所述存储器阵列的存取地址，
其中所述采样时序产生器电路经配置以至少部分地响应于振荡信号及命令状态信号而随机提供所述至少一个脉冲，及
其中所述命令状态信号经配置以在正存取所述存储器阵列时设定成作用电平。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
刷新地址计算电路，其经配置以至少部分地响应于锁存在所述锁存电路中的所述至少存取地址而计算刷新地址；及
刷新电路，其经配置以执行窃取刷新操作，以刷新由所述刷新地址指定的所述存储器阵列的地址。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述刷新电路经配置以响应于自动刷新命令而执行所述窃取刷新操作。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述命令状态信号响应于作用命令而设定成所述作用电平，并且响应于与所述作用命令相关联的预充电命令而设定成非作用电平。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述采样时序产生器电路包括逻辑电路，其经配置以响应于所述命令状态信号的所述作用电平而传输所述振荡信号。
6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括振荡器，其经配置以提供所述振荡信号，其中所述采样时序产生器电路进一步包括第一及第二计数器，
其中所述第一计数器经配置以从所述振荡器接收所述振荡信号，并且所述第二计数器经配置以从所述逻辑电路接收所述振荡信号。
7.一种设备，包括：
多个存储器存储体，其中所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体包含锁存器，其经配置以存储用于中断刷新的地址；
至少一个采样时序产生器电路，其经配置以接收振荡信号并且进一步经配置以提供触发信号；
多个存储体采样电路，其中所述多个存储体采样电路中的每个存储体采样电路与所述多个存储器存储体中的对应存储器存储体相关联，其中每个存储体采样电路经配置以响应于对所述地址进行采样的所述触发信号而向所述对应存储器存储体中的所述锁存器提供采样信号；及
至少一个命令状态信号产生器电路，其经配置以响应于命令而提供命令状态信号，
其中所述采样时序产生器电路进一步经配置以至少部分地响应于所述命令状态信号而提供对所述地址进行采样的所述触发信号，及
其中所述锁存器经配置以至少部分地响应于所述触发信号而存储所述地址。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述至少一个命令状态信号产生器经配置以响应于作用命令而将所述命令状态信号设定成处于作用状态，并且进一步经配置以响应于预充电命令而将所述命令状态信号设定成处于非作用状态。
9.根据权利要求7所述的设备，其中所述至少一个采样时序产生器电路包含采样时序产生器电路，其经配置以将所述触发信号提供到所述多个存储体采样电路，及其中所述至少一个命令状态信号产生器电路包含命令状态信号产生器电路，其经配置以接收用于所述多个存储器存储体中的任何存储器存储体的作用命令并且经配置以提供所述命令状态信号。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述命令状态信号产生器电路包含：
多个作用状态产生器电路，其与所述多个对应存储器存储体相关联并且经配置以分别提供多个对应作用状态信号，其中所述多个作用状态产生器电路中的每个作用状态产生器电路经配置以响应于作用命令而提供处于作用状态的所述对应作用状态信号，并且进一步经配置以响应于预充电命令而提供处于非作用状态的所述作用状态信号；及
作用状态合并电路，其经配置以接收所述多个对应作用状态信号并且进一步经配置以提供所述命令状态信号。
11.根据权利要求7所述的设备，其中所述至少一个采样时序产生器电路包含与所述多个存储体采样电路相关联的多个采样时序产生器电路，
其中所述多个采样时序产生器电路中的每个采样时序产生器电路经配置以将触发信号提供到所述多个存储体采样电路中的存储体采样电路，所述存储体采样电路与所述多个存储器存储体中的对应存储器存储体相关联，及
其中所述至少一个命令状态信号产生器电路包含与所述多个存储器存储体相关联的多个命令状态信号产生器电路，每个命令状态信号产生器电路经配置以接收用于所述多个存储器存储体中的所述对应存储器存储体的作用命令，并且进一步经配置以将所述命令状态信号提供到与所述多个存储器存储体中的所述对应存储器存储体相关联的所述存储体采样电路。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述...
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