一种堆叠式封装方法技术

本申请提供了一种堆叠式封装方法，包括：提供第一封装体，第一封装体包括第一芯片以及与第一芯片电连接的第一电互连结构，第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，第一电互连结构包括与非功能面处于同侧的导电区，且非功能面和导电区从第一封装体中露出；在第一芯片的非功能面上形成焊料层；将散热片固定设置于焊料层上，散热片覆盖第一封装体与非功能面处于同侧的表面，且散热片对应导电区的位置设置有开口；在散热片远离第一封装体一侧设置第二封装体，第二封装体中的第二电互连结构透过开口与导电区电连接。通过上述方式，本申请能够在堆叠式封装器件中引入散热片，以提高堆叠式封装器件的散热性能。

A stacking packaging method

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠式封装方法
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种堆叠式封装方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能和可靠性方向发展。其中，POP(堆叠)封装形式模糊了一级封装与二级封装之间的界线，在提高逻辑运算功能和存储空间的同时，也为终端用户提供了自由选择器件组合的可能，生产成本也得以更有效的控制。但是目前POP封装形式中的芯片周围被塑封料覆盖，散热性能较差。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种堆叠式封装方法，能够在堆叠式封装器件中引入散热片，以提高堆叠式封装器件的散热性能。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种堆叠式封装方法，所述封装方法包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括第一芯片以及与所述第一芯片电连接的第一电互连结构，所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，所述第一电互连结构包括与所述非功能面处于同侧的导电区，且所述非功能面和所述导电区从所述第一封装体中露出；在所述第一芯片的所述非功能面上形成焊料层；将散热片固定设置于所述焊料层上，所述散热片覆盖所述第一封装体与所述非功能面处于同侧的表面，且所述散热片对应所述导电区的位置设置有开口；在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体，所述第二封装体中的第二电互连结构透过所述开口与所述导电区电连接。其中，所述在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体，所述第二封装体中的第二电互连结构透过所述开口与所述导电区电连接，包括：在所述导电区位置处填涂焊料，所述焊料与周围的所述散热片绝缘；将所述第二封装体设置于所述散热片上，且所述第二电互连结构与所述焊料接触；回流处理，以使得所述导电区与所述第二电互连结构固定，且回流后的所述焊料与周围的所述散热片绝缘。其中，所述散热片的材质为金属，所述开口的尺寸大于对应位置处的所述导电区以及回流后的所述焊料的尺寸。其中，所述在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体之前，还包括：在所述开口的内壁形成绝缘层。其中，所述提供第一封装体包括：提供具有所述第一电互连结构的第一基板，所述第一基板包括相背设置的承载面和非承载面，所述承载面具有凹槽，所述导电区位于与所述凹槽相邻的所述承载面上；将所述第一芯片倒装固定于所述凹槽内，所述功能面朝向所述凹槽的底部。其中，所述导电区为平面，所述提供具有所述第一电互连结构的第一基板之后，还包括：蚀刻所述导电区，或者，蚀刻所述导电区以及所述导电区周围的所述第一基板，以使得蚀刻后的所述导电区具有凹陷。其中，所述导电区为平面，所述提供具有所述第一电互连结构的第一基板之后，还包括：在所述导电区位置处电镀形成具有凹陷的金属柱。其中，所述将所述第一芯片倒装固定于所述凹槽内之后，还包括：在所述功能面与所述底部之间形成围坝，所述功能面上的所有焊盘位于所述围坝围设的区域内。其中，所述围坝为底填胶，所述底填胶覆盖所述焊盘。其中，所述在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体之后，还包括：在所述非承载面上形成焊球，所述焊球与所述第一电互连结构从所述非承载面露出的部分电连接。区别于现有技术，本申请所提供的堆叠式封装方法中的第一封装体中包含第一芯片以及与第一芯片电连接的第一电互连结构，且第一电互连结构中包括与第一芯片的非功能面处于同侧的导电区；散热片通过焊料层与第一芯片的非功能面固定连接，且散热片对应导电区的位置设置有开口；第二封装体中的第二电互连结构透过该开口与导电区电连接。即采用本申请所提供的堆叠式封装方法可以在堆叠式封装器件中引入散热片，从而可以有效增强堆叠式封装器件的散热性能，提高堆叠式封装器件的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1为本申请堆叠式封装方法一实施方式的流程示意图；图2a为图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图；图2b为图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图；图2c为图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图；图2d为图1中步骤S103对应的另一实施方式的结构示意图；图3为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图；图4为散热片一实施方式的俯视示意图；图5为本申请堆叠式封装器件一实施方式的结构示意图；图6为散热片另一实施方式的俯视示意图；图7为本申请堆叠式封装器件另一实施方式的结构示意图；图8为本申请堆叠式封装器件另一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请堆叠式封装方法一实施方式的流程示意图，该堆叠式封装方法包括：S101：提供第一封装体20，第一封装体20包括第一芯片12以及与第一芯片12电连接的第一电互连结构100，第一芯片12包括相背设置的功能面120和非功能面126，第一电互连结构100包括与非功能面126处于同侧的导电区1000，且非功能面126和导电区1000从第一封装体20中露出。具体地，请参阅图2a和图3，图2a为图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图，图3为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图。在本实施例中，上述步骤S101具体包括：S201：提供具有第一电互连结构100的第一基板10，第一基板10包括相背设置的承载面102和非承载面104，承载面102具有凹槽106，导电区1000位于与凹槽106相邻的承载面102上。具体地，该第一基板10上设置的凹槽106的个数可以为一个或者多个。第一基板10可由多层板层叠设置形成，凹槽106可以通过控制每层板的形状形成，即在多层板层叠设置时凹槽106即可同步形成。当然，也可在多层板层叠设置之后，挖除部分区域以形成该凹槽106。此外，上述第一基板10内的第一电互连结构100可以由金属布线层、导电孔等导电结构形成，且该第一电互连结构100包括从承载面102和非承载面104露出的部分。S202：将第一芯片12倒装固定于凹槽106内，功能面120朝向凹槽106的底部1060。在本实施例中，上述第一芯片12倒装固定于凹槽106之后，其非功能面126略低于凹槽106两侧的承载面102，即凹槽106的深度大于第一芯片12的非功能面126至凹槽106的底部1060之间的距离。上述方式可以使得第一封装体20的高度与第一基板10的高度差不多，进而有效降低第一封装体20的高度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠式封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：/n提供第一封装体，所述第一封装体包括第一芯片以及与所述第一芯片电连接的第一电互连结构，所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，所述第一电互连结构包括与所述非功能面处于同侧的导电区，且所述非功能面和所述导电区从所述第一封装体中露出；/n在所述第一芯片的所述非功能面上形成焊料层；/n将散热片固定设置于所述焊料层上，所述散热片覆盖所述第一封装体与所述非功能面处于同侧的表面，且所述散热片对应所述导电区的位置设置有开口；/n在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体，所述第二封装体中的第二电互连结构透过所述开口与所述导电区电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种堆叠式封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供第一封装体，所述第一封装体包括第一芯片以及与所述第一芯片电连接的第一电互连结构，所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，所述第一电互连结构包括与所述非功能面处于同侧的导电区，且所述非功能面和所述导电区从所述第一封装体中露出；
在所述第一芯片的所述非功能面上形成焊料层；
将散热片固定设置于所述焊料层上，所述散热片覆盖所述第一封装体与所述非功能面处于同侧的表面，且所述散热片对应所述导电区的位置设置有开口；
在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体，所述第二封装体中的第二电互连结构透过所述开口与所述导电区电连接。


2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体，所述第二封装体中的第二电互连结构透过所述开口与所述导电区电连接，包括：
在所述导电区位置处填涂焊料，所述焊料与周围的所述散热片绝缘；
将所述第二封装体设置于所述散热片上，且所述第二电互连结构与所述焊料接触；
回流处理，以使得所述导电区与所述第二电互连结构固定，且回流后的所述焊料与周围的所述散热片绝缘。


3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，
所述散热片的材质为金属，所述开口的尺寸大于对应位置处的所述导电区以及回流后的所述焊料的尺寸。


4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述在所述散热片远离所述第一封装体一侧设置第二封装体之前，还包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：李骏，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32