改善光刻机对准的方法技术

本发明专利技术提供了一种改善光刻机对准的方法，包括：提供一包含对准标记和辅助标记的晶圆，所述对准标记和所述辅助标记设置在所述晶圆的切割道内，所述辅助标记设置在所述对准标记周围，以增加对准标记周围的图形密度；对所述晶圆进行化学机械研磨，且化学机械研磨后的所述晶圆至少还具有所述对准标记；将化学机械研磨后的所述晶圆转移到光刻机上，并利用所述对准标记来进行光刻对准。通过在对准标记四周设置辅助标记来改善对准标记的图形环境，可以有效降低化学机械研磨工艺的影响，改善OVL，降低返工率和成本。

Methods of improving alignment of lithography machine

【技术实现步骤摘要】
改善光刻机对准的方法
本专利技术属于集成电路制造
，尤其涉及一种改善光刻机对准的方法。
技术介绍
随着集成电路制造业的迅猛发展，线宽尺寸不断减小，器件的尺寸也一直在缩小，因此，光刻技术对光刻工艺以及光刻系统相关的精度要求也会越来越高，而光刻对准技术是光刻的三大核心技术之一。光刻工序是半导体生产中形成掩膜的过程。光刻会涉及工件装载、工件待加工区域与掩膜版对准、工件曝光和工件卸载等基本步骤，尤其涉及到工件图案需要进行多层曝光的情况下，工件待加工区域与掩膜版的精确对准是确保在线宽不断缩小情况下工件被正确加工的前提，当图形被准确的投影到工件待加工区域或新一层图形准确的套准投影在先前已形成图形的工件待加工区域上时，对当前层的曝光，可以实现图形从掩膜版到基底的准确转移。光刻机曝光时利用前层的对准标记进行对准来确保不同层的图形空间偏移在规范以内。对准标记一般放置在切割道内，具有如下特点：第一，对准标记线宽很大，一般大于1微米，但是过大的线宽导致对准标记容易受化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，CMP)影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善光刻机对准的方法，其特征在于，包括：/n提供一包含对准标记和辅助标记的晶圆，所述对准标记和所述辅助标记设置在所述晶圆的切割道内，所述辅助标记设置在所述对准标记周围，以增加对准标记周围的图形密度；/n对所述晶圆进行化学机械研磨，且化学机械研磨后的所述晶圆至少还具有所述对准标记；/n将化学机械研磨后的所述晶圆转移到光刻机上，并利用所述对准标记来进行光刻对准。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善光刻机对准的方法，其特征在于，包括：
提供一包含对准标记和辅助标记的晶圆，所述对准标记和所述辅助标记设置在所述晶圆的切割道内，所述辅助标记设置在所述对准标记周围，以增加对准标记周围的图形密度；
对所述晶圆进行化学机械研磨，且化学机械研磨后的所述晶圆至少还具有所述对准标记；
将化学机械研磨后的所述晶圆转移到光刻机上，并利用所述对准标记来进行光刻对准。


2.如权利要求1所述的改善光刻机对准的方法，其特征在于，所述晶圆上具有待研磨层，所述待研磨层暴露出部分所述切割道，所述对准标记和所述辅助标记形成在所述切割道被所述待研磨层所暴露出的部分上。


3.如权利要求2所述的改善光刻机对准的方法，其特征在于，在化学机械研磨后，所述对准标记和辅助标记的顶面与所述待研磨层的顶面齐平。


4.如权利要求1所述的改善光刻机对准的方法，其特征在于，所述对准标记包括至少两个X方向图形和至少一个Y方向图形，且X方向图形位于所述Y方向图形两侧。


5.如权利要求4所述的改善光刻机对准的方法，其特征在于，所述X方向图形包括多个X方向条状图形，Y方向图...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨要华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31