【技术实现步骤摘要】
测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法以及曝光方法本申请是申请日为2016年02月23日，申请号为201680012129.1，专利技术名称为测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法，特别涉及测量在基板上形成的多个标记的位置信息的测量装置以及具备具有载置结束了用该测量装置进行的多个标记的位置信息的测量的基板的基板载台的曝光装置与所述测量装置的光刻系统、及具备所述测量装置的曝光装置、以及管理基板上多个区划区域的排列的变动的管理方法、以基板为测量对象的重迭测量方法、及使用所述光刻系统或曝光装置的组件制造方法。
技术介绍
在制造半导体组件等的光刻步骤中，在晶圆或玻璃板片等的基板(以下，统称为晶圆)上重迭形成多层的电路图案，但当在各层间的重迭精度不良时，半导体组件等即无法发挥既定电路特性，有时可能成为不良品。因此，一般在晶圆上的多个照射(shot)区域的各个预先形成标记(对准标记)，检测该标记在曝光装置的载台坐标系上的位置(坐标值)。之后，根据此标记位置信息与新形成的图案(例如标线片图案)的已知的位置信息，进行将晶圆上的1个照射区域相对该图案的定位的晶圆对准。作为晶圆对准的方式，为兼顾产量，主流是仅检测晶圆上若干个照射区域(亦称取样照射区域或对准照射区域)的对准标记，以统计方式算出晶圆上照射区域的排列的全晶圆增强型对准(EGA)。然而，当在光刻步骤中对晶圆上...
【技术保护点】
1.一种测量装置，将形成于基板的标记的位置信息于曝光处理前取得，所述基板被保持在曝光装置所具备的基板保持具上进行所述曝光处理，其特征在于，包括：/n第1检测系统，检测形成于所述基板的标记；/n载台，在与所述基板保持具相异的保持构件上保持所述基板且能够移动；/n位置测量系统，能够取得所述载台的位置信息；以及/n控制装置，根据所述第1检测系统的检测结果与使用所述位置测量系统而取得的所述载台的位置信息，求出设于所述基板上的多个区划区域的各自中的多个标记各自的位置信息；/n所述控制装置使用所求出的所述多个标记各自的位置信息，将表示来自所述区划区域各自的设计位置的修正量的多次多项式通过统计运算求出。/n
【技术特征摘要】
20150223 JP 2015-0329101.一种测量装置，将形成于基板的标记的位置信息于曝光处理前取得，所述基板被保持在曝光装置所具备的基板保持具上进行所述曝光处理，其特征在于，包括：
第1检测系统，检测形成于所述基板的标记；
载台，在与所述基板保持具相异的保持构件上保持所述基板且能够移动；
位置测量系统，能够取得所述载台的位置信息；以及
控制装置，根据所述第1检测系统的检测结果与使用所述位置测量系统而取得的所述载台的位置信息，求出设于所述基板上的多个区划区域的各自中的多个标记各自的位置信息；
所述控制装置使用所求出的所述多个标记各自的位置信息，将表示来自所述区划区域各自的设计位置的修正量的多次多项式通过统计运算求出。
2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：
所述测量装置更包含信号处理装置，处理以所述第1检测系统检测出的所述标记的信号，所述信号处理装置判断所述信号是否良好，仅将所述信息被判断为良好的所述标记的检测结果提供至所述控制装置。
3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置为了在由所述曝光装置进行的所述基板的曝光处理中进行利用，于所述曝光处理前输出所述多次多项式的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置输出所述多次多项式的2次以上的项的系数。
5.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：
所述测量装置更包含第2检测系统，检测所述基板表面的高度，
所述控制装置根据所述第2检测系统的检测结果、与通过所述位置测量系统而取得的所述载台的位置，取得所述基板表面的高度分布信息。
6.根据权利要求5所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置为了在由所述曝光装置进行的所述基板的曝光处理中进行利用，于所述曝光处理前输出所述高度分布信息。
7.一种曝光装置，其特征在于，包括：
基板载台，于基板保持具上保持基板且能够移动；以及
控制装置，根据使用由权利要求1至6中任一项所述的测量装置所取得的所述多次多项式而求出的修正量来控制所述基板载台，
将已取得所述修正量且保持于所述基板保持具的所述基板，以能量束进行曝光。
8.一种曝光装置，其特征在于，包括：
基板载台，于基板保持具上保持基板且能够移动；以及
控制装置，根据使用由权利要求6所述的测量装置所取得的所述多次多项式而求出的修正量与所述高度分布信息来控制所述基板载台，
将已取得所述修正量且保持于所述基板保持具的所述基板，以能量束进行曝光。
9.一种光刻系统，其特征在于，包括：
权利要求1至6中任一项所述的测量装置；以及
曝光装置，对保持于所述基板保持具的所述基板根据所述修正量进行曝光处理。
10.一种光刻系统，其特征在于，包括：
权利要求6所述的测量装置；以及
曝光装置，对保持于所述基板保持具的所述基板根据所述高度分布信息与所述修正量进行曝光处理。
11.一种测量装置，将形成于基板的标记的位置信息于曝光处理前取得，所述基板被保持在曝光装置所具备的基板保持具上进行所述曝光处理，其特征在于，包括：
第1检测系统，检测设在形成于所述基板的多个区划区域的各自中的标记；
载台，于与所述基板保持具相异的保持构件上保持所述基板且能够移动；
位置测量系统，能够取得所述载台的位置信息；以及
控制装置，根据所述第1检测系统的检测结果、与使用所述位置测量系统而得到的所述载台的位置信息，求出所述多个标记各自的位置信息，
所述控制装置使用所求出的所述多个标记各自的位置信息，通过统计运算求出排列信息，所述排列信息包含所述多个区划区域的非线性排列信息。
12.根据权利要求11所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置为了在由所述曝光装置进行的所述基板的曝光处理中进行利用，于所述曝光处理前输出所述排列信息。
13.根据权利要求11所述的测量装置，其特征在于：
所述测量装置更包含第2检测系统，检测所述基板表面的高度，
所述控制装置根据所述第2检测系统的检测结果、与使用所述位置测量系统而得到的所述载台的位置，求出所述基板表面的高度分布信息。
14.根据权利要求13所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置为了在由所述曝光装置进行的所述基板的曝光处理中进行利用，于所述曝光处理前输出所述高度分布信息。
15.一种曝光装置，其特征在于，包括：
基板载台，于基板保持具上保持基板且能够移动；以及
曝光控制装置，根据使用权利要求11至14中任一项所述的测量装置而取得的与基板相关的信息来控制所述基板载台，
将取得所述信息的所述基板，保持于所述基板保持具并以能量束进行曝光。
16.一种光刻系统，其特征在于包括：
权利要求11至14中任一项所述的测量装置；以及
曝光装置，将所述基板保持于所述基板保持具，且根据所述测量装置取得的与基板相关的信息进行曝光处理。
17.一种测量装置，将形成于基板的标记的位置信息于曝光处理前取得，所述基板被保持在曝光装置所具备的基板保持具上进行所述曝光处理，其特征在于，包括：
第1检测系统，检测形成于所述基板的标记；
载台，在与所述基板保持具相异的保持构件上保持所述基板且能够移动；
位置测量系统，能够取得所述载台的位置信息；以及
控制装置，根据所述第1检测系统的检测结果、与使用所述位置测量系统而得到的所述载台的位置信息，求出设于所述基板上的多个区划区域的各自中的多个标记各自的位置信息，
所述控制装置输出能够通过统计运算而算出所述区划区域的非线性排列信息的所述多个标记的位置信息。
18.根据权利要求17所述的测量装置，其特征在于：
所述控制装置为了在由所述曝光装置进行的所述基板的曝光处理中进行利用，于所述曝光处理前输出所述多个标记的位置信息。
19.根据权利要求17所述的测量装置，其特征在于：
所述测量装置更包含第2检测系统，检测所述基板表面的高度，
所述控制装置根据所述第2检测系统的检测结果、与使用所述位置测量系统而取得的所述载台的位置信息，取得所述基板表...
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