一种金刚石薄膜生长气路结构制造技术

本实用新型专利技术涉及金刚石薄膜技术领域，且公开了一种金刚石薄膜生长气路结构，包括金刚石生长室，所述金刚石生长室的上方设置有第一连接管,所述第一连接管的左右两侧均连通有第二连接管，右侧的所述第二连接管上设置有截止阀A，所述第二连接管的底端连通有CHO液态源容器，所述CHO液态源容器内设置有CHO液态源，所述CHO液态源容器的一侧设置有氢气气源。本方案的真空镀膜的金刚石薄膜生长气路结构，通过氢气带动CHO液态源饱和蒸汽进入金刚石薄膜生长室，并通过调节氢气流量计大小，调节腔室压强，从而得到混合均匀、比例合适、气压正常的金刚石薄膜生长气氛，且操作简单。

A gas path structure for diamond film growth

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石薄膜生长气路结构
本技术涉及金刚石薄膜领域，更具体地说，涉及一种金刚石薄膜生长气路结构。
技术介绍
公知的，随着科学技术的飞速发展，真空镀膜的技术已经得到普遍应用，在生长金刚石薄膜时，气路结构是一个重要的问题，气路结构设计不合理，会严重影响金刚石膜的纯度及生长速率，气路结构是指金刚石薄膜生长时需要源源不断的按比例补充含碳、氢、氧等气体源，它与流量计进气大小、进气位置、液态源结构有关。现有的金刚石薄膜生长装置主要采用一个个调节甲烷、氢气、氧气的流量计来改变进气的多少，这种方式操作麻烦且不能得到混合均匀、比例合适、气压正常的金刚石薄膜生长气氛，固提出一种金刚石薄膜生长气路结构。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种金刚石薄膜生长气路结构，具备可得到混合均匀、比例合适、气压正常的金刚石薄膜生长气氛的优点，解决了现有的金刚石薄膜生长装置主要采用一个个调节甲烷、氢气、氧气的流量计来改变进气的多少，这种方式操作麻烦且不能得到混合均匀、比例合适、气压正常的金刚石薄膜生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金刚石薄膜生长气路结构，包括金刚石生长室(1)，其特征在于：所述金刚石生长室(1)的上方设置有第一连接管(2),所述第一连接管(2)的左右两侧均连通有第二连接管(3)，右侧的所述第二连接管(3)上设置有截止阀A(4)，所述第二连接管(3)的底端连通有CHO液态源容器(5)，所述CHO液态源容器(5)内设置有CHO液态源(6)，所述CHO液态源容器(5)的一侧设置有氢气气源(7)，所述氢气气源(7)与CHO液态源容器(5)之间通过第三连接管(8)连接，所述第三连接管(8)上设置有氢气流量计(9)；/n左侧的所述第二连接管(3)上设置有截止阀B(15)，所述金刚石生长室(1)的右侧从左至右...

【技术特征摘要】
1.一种金刚石薄膜生长气路结构，包括金刚石生长室(1)，其特征在于：所述金刚石生长室(1)的上方设置有第一连接管(2),所述第一连接管(2)的左右两侧均连通有第二连接管(3)，右侧的所述第二连接管(3)上设置有截止阀A(4)，所述第二连接管(3)的底端连通有CHO液态源容器(5)，所述CHO液态源容器(5)内设置有CHO液态源(6)，所述CHO液态源容器(5)的一侧设置有氢气气源(7)，所述氢气气源(7)与CHO液态源容器(5)之间通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹杨，孙蕾，邹松东，
申请(专利权)人：洛阳奥尔材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41