金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备制造技术

本实用新型专利技术涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备。该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车。热丝采用垂直布局，在加热和镀膜过程中不会弯曲变形，与基体距离稳定，提高镀膜质量和金刚石膜的均匀性，实现连续制备金刚石薄膜，保证碳化后的灯丝不再断裂，减少重新安装灯丝、抽真空、碳化灯丝、真空室充气等辅助时间，大大提高金刚石膜的制备效率。

【技术实现步骤摘要】
金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备
本技术涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备。
技术介绍
金刚石具有优异的力、热、声、光、电、化学等各项性能，人造金刚石薄膜的性能已经基本接近天然金刚石，优异的性能使其在高科技领域具有广泛的应用前景。目前金刚石薄膜技术在刀具、高性能电子元件、航天材料等众多场合得到应用，收到几号的效果，其应用在高科技领域被人们倍加关注。化学气相沉淀(CVD)金刚石薄膜因具有天然金刚石的高硬度、高热导率、低摩擦系数和低热膨胀系数等诸多优异的性能，而被誉为21世纪最具有发展前途的新型涂层材料。热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜制备方法是目前工业化CVD金刚石薄膜中主要的制备方法，该方法操作相对简单，成本较低，容易控制衬底温度，可获得质量较高、面积较大的金刚石薄膜。目前，这种制备方法的设备中主要存在以下问题：1、目前HFCVD设备的热丝多为水平放置，其热膨胀及重力引起的变性影响热丝到基体表面的距离，进而影响基体表面的沉积温度，从而导致薄膜的不均匀，热丝碳化变脆后易发生断裂。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备，其特征在于，该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车，具体结构如下：/n设备以进出样室为中心，进出样室内设有基片行走车，基片行走车上设有基片台，基片设置于基片台上；/n进出样室左侧通过左室插板阀与左薄膜生长室相连，左薄膜生长室内由上至下依次设有左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝和左传动辊，左室热丝架为上下两个相对平行设置，左室热丝沿竖直面方向平...

【技术特征摘要】
1.一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备，其特征在于，该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车，具体结构如下：
设备以进出样室为中心，进出样室内设有基片行走车，基片行走车上设有基片台，基片设置于基片台上；
进出样室左侧通过左室插板阀与左薄膜生长室相连，左薄膜生长室内由上至下依次设有左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝和左传动辊，左室热丝架为上下两个相对平行设置，左室热丝沿竖直面方向平行排布于两个左室热丝架之间，左室水冷电极与左室热丝架相连，左传动辊设置于左薄膜生长室内的底部；
进出样室右侧通过右室插板阀与右薄膜生长室相连，右薄膜生长室内由上至下依次设有右室水冷电极、右室热丝架、右室热丝和右室传动辊，右薄膜生长室为上下两个相对平行设置，右室热丝沿竖直面方向平行排布于两个右室热丝架之间，右室水冷电极与右室热丝架相连，右室传动辊设置于右薄膜生长室内的底部。


2.按照权利要求1所述的金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备，其特征在于，进出样室的底部下方设有进出样室支架。


3.按照权利要求1所述的金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备，其特征在于，左薄膜生长室内的顶部设置左室观察窗，左薄膜生长室的底部下方设有左室支架。


4.按照权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鲁生，姜辛，黄楠，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：新型
国别省市：辽宁;21