一种热丝CVD沉积系统的丝架结构技术方案

实用新型专利技术涉及进气结构领域，且公开了一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，包括真空箱主体，所述真空箱主体的顶部固定安装有真空室顶板，所述真空室顶板的内部插设有进气管，所述进气管上从上到下依次固定安装有阀门、第二固定环、第一密封胶环、第一固定环与第二密封胶环，所述第二固定环位于真空室顶板的顶部，所述第一密封胶环与第一固定环位于真空室顶板之间，所述第二密封胶环位于真空箱主体的内部，所述进气管底部的一端贯穿并延伸至真空箱主体的内部。该实用新型专利技术，整个装置通过设置进气管路孔径与距离成正比例分布的花洒喷气方式，实现了热丝工作气体均匀分布于基片台上方，基片台温场均匀的目的。

Wire frame structure of a hot wire CVD deposition system

【技术实现步骤摘要】
一种热丝CVD沉积系统的丝架结构
本技术涉及进气结构
，具体为一种热丝CVD沉积系统的丝架结构。
技术介绍
现有热丝架CVD进气结构主要采用普通进气管扩散进气结构，主要缺点是在进气时气场分布不均匀，导致基片台气场不均匀，沉积的金刚石也不均匀。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，具备基片台温场均匀的优点，解决了现有技术中的进气时气场分布不均匀，导致基片台气场不均匀，沉积的金刚石也不均匀的技术问题。(二)技术方案为实现上述可以自动化对接安装的目的，本技术提供如下技术方案：一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，包括真空箱主体，所述真空箱主体的顶部固定安装有真空室顶板，所述真空室顶板的内部插设有进气管，所述进气管上从上到下依次固定安装有阀门、第二固定环、第一密封胶环、第一固定环与第二密封胶环，所述第二固定环位于真空室顶板的顶部，所述第一密封胶环与第一固定环位于真空室顶板之间，所述第二密封胶环位于真空箱主体的内部，所述进气管底部的一端贯穿并延伸至真本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，包括真空箱主体(1)，其特征在于：所述真空箱主体(1)的顶部固定安装有真空室顶板(2)，所述真空室顶板(2)的内部插设有进气管(8)，所述进气管(8)上从上到下依次固定安装有阀门(9)、第二固定环(14)、第一密封胶环(10)、第一固定环(12)与第二密封胶环(11)，所述第二固定环(14)位于真空室顶板(2)的顶部，所述第一密封胶环(10)与第一固定环(12)位于真空室顶板(2)之间，所述第二密封胶环(11)位于真空箱主体(1)的内部，所述进气管(8)底部的一端贯穿并延伸至真空箱主体(1)的内部，所述进气管(8)底部的一端固定安装有花洒喷气装置(7)，所...

【技术特征摘要】
1.一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，包括真空箱主体(1)，其特征在于：所述真空箱主体(1)的顶部固定安装有真空室顶板(2)，所述真空室顶板(2)的内部插设有进气管(8)，所述进气管(8)上从上到下依次固定安装有阀门(9)、第二固定环(14)、第一密封胶环(10)、第一固定环(12)与第二密封胶环(11)，所述第二固定环(14)位于真空室顶板(2)的顶部，所述第一密封胶环(10)与第一固定环(12)位于真空室顶板(2)之间，所述第二密封胶环(11)位于真空箱主体(1)的内部，所述进气管(8)底部的一端贯穿并延伸至真空箱主体(1)的内部，所述进气管(8)底部的一端固定安装有花洒喷气装置(7)，所述真空箱主体(1)的内底壁上固定安装有转动台(4)与电机箱(6)，所述转动台(4)的顶部转动连接有升降水冷生长台(3)，所述电机箱(6)的内部固定安装有转动电机(5)，所述转动电机(5)的输出轴通过联轴器固定连接有转动杆(15)，所述转动杆(15)顶部的一端依次电机箱(6)与转动台(4)并延伸直升降水冷生长台(3)的底...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹杨，孙蕾，邹松东，
申请(专利权)人：洛阳奥尔材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41