一种散热器及半导体功率模块的散热结构制造技术

技术编号:24366618 阅读:35 留言:0更新日期:2020-06-03 04:56
本实用新型专利技术公开了一种散热器及半导体功率模块的散热结构,所述散热器包括铝质的散热器本体,在散热器本体的器件安装面嵌设有铜膜层;还包括陶瓷覆铜板,所述陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和覆设于陶瓷基板两侧的铜箔,该陶瓷覆铜板的一侧通过锡膏与散热器本体上的铜膜层焊接在一起;半导体功率模块的散热结构包括半导体功率模块单管和上述的散热器,所述半导体功率模块单管的散热面通过锡膏与陶瓷覆铜板背离散热器本体一侧的铜箔焊接为一体。能够有效提高半导体功率模块的散热效果,保证半导体功率模块的使用寿命,提高半导体功率模块的使用寿命,并降低半导体功率模块的使用成本。

A structure of heat sink and semiconductor power module

【技术实现步骤摘要】
一种散热器及半导体功率模块的散热结构
本技术涉及半导体散热
,尤其涉及一种散热器及半导体功率模块的散热结构。
技术介绍
IGBT是英文InsulatedGateBipolarTransistor的缩写,中文名称为绝缘栅双极型晶体管,在使用时通常需要把IGBT制作成各种模块进行使用,简称IGBT模块,也是一种高功率半导体模块。该模块在工作过程时会产生大量热,为了使IGBT模块能够安全的工作,IGBT工作结温必须低于允许的最大结温,不仅在额定范围内需要确保,同时在超负荷异常状态下也应该确保。因此散热器是IGBT模块热量能否高效散发的关键因素。为确保半导体功率模块能够稳定正常的运行,有人通过集成芯片模块的方式来取代半导体功率模块,这样虽然能够大大降低工作过程中散发的热量,也能够提高运行的稳定性,但其所带来的缺陷是封装技术难度较大,成本大大增加,约为半导体功率模块的5-10倍,对于一台大型设备而已,就会因使用大量功率模块而造成设备的成本大大增加。而现有的半导体功率模块单管(如IGBT)在使用时,主要通过散热器进行散热,现有的散热器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热器,包括铝质的散热器本体,其特征在于:在散热器本体的器件安装面嵌设有铜膜层,所述铜膜层与散热器本体固为一体;还包括陶瓷覆铜板,所述陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和覆设于陶瓷基板两侧的铜箔,该陶瓷覆铜板的一侧通过锡膏与散热器本体上的铜膜层焊接在一起。/n

【技术特征摘要】
1.一种散热器,包括铝质的散热器本体,其特征在于:在散热器本体的器件安装面嵌设有铜膜层,所述铜膜层与散热器本体固为一体;还包括陶瓷覆铜板,所述陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和覆设于陶瓷基板两侧的铜箔,该陶瓷覆铜板的一侧通过锡膏与散热器本体上的铜膜层焊接在一起。


2.根据权利要求1所述的一种散热器,其特征在于:所述铜膜层与散热器本体通过压铸的方式成型为一体。


3.根据权利要求1所述的一种散热器,其特征在于:所述铜膜层与散热器本体通过冷喷涂的方式成型为一体。


4.根据权利要求1所述的一种散热器,其特征在于:所述铜膜层为多块,在铜膜层上设有至少一块陶瓷覆铜板。


5.一种半导体功率模块的散热结构,其特征在于:包括半导体功率模块单管和权利要求1-3中任一项权利要求所述的散热器,所述半导体功率模块单管的散热面通过锡膏与陶瓷覆铜板背离散热器本体一侧的铜箔焊接为一体。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈卫华
申请(专利权)人:重庆键合科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:重庆;50

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